[發(fā)明專利]封裝用鍵合絲及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310652526.3 | 申請日： | 2013-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN103681570A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃崧哲;殷樹元 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山矽格瑪材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/49 | 分類號： | H01L23/49;H01L21/48;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吳開磊 |
| 地址： | 215334 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 用鍵合絲 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及封裝領(lǐng)域，具體而言，涉及封裝用鍵合絲及其制備方法。
背景技術(shù)
在傳統(tǒng)的封裝焊接工藝中，常用金含量99.99%以上的純金線將晶片與導(dǎo)線架焊接，因為黃金的價格逐年攀高，封裝金線的成本占比就越來越高，所以目前多采用銀合金線、純銀線甚至銅線來取代傳統(tǒng)金線。
然而銀合金線或者銀線在使用過程中自身易被氧化或者被硫化，且在高溫高濕的環(huán)境下會發(fā)生銀離子漂移的問題；銅線也因易被氧化，直接造成產(chǎn)品合格率下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供封裝用鍵合絲及其制備方法，以解決上述的問題。
本發(fā)明實施例中提供了一種封裝用鍵合絲，包括中心母線，所述中心母線的外表面鍍有鈀膜。
本發(fā)明實施例中還提供了一種封裝用鍵合絲的制備方法，包括：
A.制備中心母線；
B.采用真空鍍的方式，在所述中心母線的外表面鍍有鈀膜；
C.將鍍有所述鈀膜的所述中心母線進行多次拉伸；
D.清洗；
E.退火得成品。
本發(fā)明實施例提供的封裝用鍵合絲及其制備方法，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，將中心母線的外表面鍍上鈀膜后，鈀膜能夠有效減緩中心母線的氧化，當中心母線中包含銀時，能夠改善銀漂移問題，且鍍鈀膜方式簡單，易操作。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例1中封裝用鍵合絲的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明實施例2中封裝用鍵合絲的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明實施例3中封裝用鍵合絲的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明實施例4中封裝用鍵合絲的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明實施例5中封裝用鍵合絲的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本發(fā)明對實施例4中中心母線的銀漂移測試圖；
圖7為本發(fā)明對實施例4中封裝用鍵合絲的銀漂移測試圖。
具體實施方式
下面通過具體的實施例子并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。
本發(fā)明實施例中提供了一種封裝用鍵合絲，包括中心母線，中心母線的外表面鍍有鈀膜。
本發(fā)明實施例中還提供了一種封裝用鍵合絲的制備方法，包括：
A.制備中心母線；
B.采用真空鍍的方式，在中心母線的外表面鍍有鈀膜；
C.將鍍有鈀膜的中心母線進行多次拉伸；
D.清洗；
E.退火得成品。
將中心母線的外表面鍍上鈀膜后，鈀膜能夠有效減緩中心母線的氧化，當中心母線中包含銀時，能夠改善銀漂移問題，且鍍鈀膜方式簡單，易操作。
下面，通過一些具體實施例來詳細描述該封裝用鍵合絲：
一種封裝用鍵合絲，包括中心母線，中心母線的外表面鍍有鈀膜，鈀膜能夠減緩氧化，且當中心母線中含有銀的時候，鈀膜能夠改善銀漂移問題，且電阻率較純金線相當，電阻率小于3×10-8ΩM。
在鈀膜的上面還鍍有金膜，鍍鈀后再鍍金能夠進一步減緩氧化，硫化的發(fā)生速度，并改善銀漂移，提高封裝用鍵合絲的實用性。
鈀膜的厚度為0.01-0.3微米；金膜的厚度為0.01-0.3微米。原則上，厚度越薄，成本越低。但是也不能夠小于0.01微米，因為小于0.01微米后實際使用時抗氧化效果及防范陰離子漂移效果不好。
中心母線的橫截面直徑為80-200微米。具體數(shù)值，在不同的實施例中可以選取不同的值，只要便于后續(xù)拉伸至不同直徑的成品即可。
中心母線包括以下任一種：金銀合金線、銅線；相對傳統(tǒng)的金線相比，本發(fā)明采用金銀合金線能夠大幅降低成本，銅線也能夠降低成本，且能夠直接避免銀漂移。
當中心母線包括金銀合金時，制備金銀合金的金的純度大于99.99%，銀的純度大于99.99，銀的質(zhì)量百分比含量為80-99.99wt%，金的質(zhì)量百分比含量為19.99-0.00wt%，金和銀的質(zhì)量百分比之和為99.99%，所含的鉍的含量小于30ppm，總雜質(zhì)含量低于100ppm；控制金、銀的純度，控制雜質(zhì)含量能夠減緩氧化，適當調(diào)整金、銀的配比，能夠制備與傳統(tǒng)的封裝用鍵合絲性能相似的金銀合金鍵合絲。
當中心母線包括銅線時，制備銅線的銅為純度大于99.99%的單晶無氧銅，提高產(chǎn)率，減緩氧化效果。
如下為五個具體實施例：
實施例1：
如圖1，中心母線為銀線201；鍍有鈀膜101，膜厚為0.05微米，鍵合絲的橫截面直徑為150微米。
實施例2：
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