[發明專利]封裝用鍵合絲及其制備方法

在審

• 申請號: 201310652526.3
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103681570A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 黃崧哲;殷樹元
• 申請（專利權）人: 昆山矽格瑪材料科技有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/48;C23C14/16
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種封裝用鍵合絲，其特征在于，包括中心母線，所述中心母線的外表面鍍有鈀膜。

2.根據權利要求1所述的封裝用鍵合絲，其特征在于，在所述鈀膜的上面還鍍有金膜。

3.根據權利要求2所述的封裝用鍵合絲，其特征在于，所述鈀膜的厚度為0.01-0.3微米；所述金膜的厚度為0.01-0.3微米。

4.根據權利要求1-3任一項所述的封裝用鍵合絲，其特征在于，所述中心母線的橫截面直徑為80-200微米。

5.根據權利要求4所述的封裝用鍵合絲，其特征在于，所述中心母線包括以下任一種：金銀合金線、銅線。

6.根據權利要求5所述的封裝用鍵合絲，其特征在于，

當所述中心母線包括金銀合金線時，制備所述金銀合金線的金的純度大于99.99%，銀的純度大于99.99，所述銀的質量百分比含量為80%-99.99wt%，所述金的質量百分比含量為19.99-0.00wt%，所述金和所述銀的質量百分比之和為99.99%，所含的鉍的含量小于30ppm，總雜質含量低于100ppm；或，

當所述中心母線包括銅線時，制備所述銅線的銅為純度大于99.99%的單晶無氧銅。

7.一種如權利要求1-6任一項所述的封裝用鍵合絲的制備方法，其特征在于，包括：

A.制備中心母線；

B.采用真空鍍的方式，在所述中心母線的外表面鍍有鈀膜；

C.將鍍有所述鈀膜的所述中心母線進行多次拉伸；

D.清洗；

E.退火得成品。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述B之后，在所述C之前，所述方法還包括：采用真空鍍的方式，在所述鈀膜上鍍金膜；則，

所述C為：將鍍有所述金膜的所述中心母線進行多次拉伸。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備中心母線包括：

選擇中心母線的原料，所述原料包括以下一種或多種：金、銀、銅；

將所述原料進行熔煉、鑄造、拉伸成鑄棒；

將所述鑄棒繼續進行多次拉伸至橫截面直徑為80-200微米的所述中心母線。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述鈀膜的鍍膜材料為環形鈀靶，純度為大約99.99%，晶粒小于200微米；所述金膜的鍍膜材料為環形金靶，純度為大于99.99%，晶粒小于200微米。