[發(fā)明專利]絕緣樹脂片以及使用該絕緣樹脂片的多層印刷布線板的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310652193.4 | 申請日： | 2009-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN103625051A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林榮一;安田文美;宮川朋子 | 申請（專利權(quán)）人： | 味之素株式會社 |
| 主分類號： | B32B27/04 | 分類號： | B32B27/04;B29B11/16;H05K1/02;H05K3/46 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;孟慧嵐 |
| 地址： | 日本東京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 樹脂 以及 使用 多層 印刷 布線 制備 方法 | ||
1.絕緣樹脂片，該絕緣樹脂片是在預(yù)浸料坯的一個面上具有熱固化性樹脂組合物的固化物層的絕緣樹脂片，其中，上述固化物層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為80℃以上。
2.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為86℃以上。
3.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為99℃以上。
4.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為113℃以上。
5.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為129℃以上。
6.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或質(zhì)量減少率為5％時的分解溫度為300℃以下。
7.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度按照JIS?K7179記載的方法進行確定。
8.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，分解溫度按照JIS?K7120記載的方法進行測定。
9.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，上述固化物層的熔融粘度為500,000泊以上。
10.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其用于多層印刷布線板的絕緣層。
11.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，在固化物層上進一步具有支撐體層。
12.權(quán)利要求11所述的絕緣樹脂片，該絕緣樹脂片是將在支撐體上形成有熱固化性樹脂組合物的固化物層的固化物片粘接于預(yù)浸料坯的一個面得到的。
13.權(quán)利要求11所述的絕緣樹脂片，其中，支撐體層的固化物層一側(cè)進行了脫模處理。
14.權(quán)利要求11所述的絕緣樹脂片，其中，支撐體層是塑料薄膜。
15.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，絕緣樹脂片的預(yù)浸料坯面用保護薄膜保護。
16.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，預(yù)浸料坯的厚度是10-70μm。
17.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，其中，熱固化性樹脂組合物的固化物層厚度為1-30μm。
18.權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片，該絕緣樹脂片用于包含以下步驟的多層印刷布線板的制備方法：(1)層壓步驟，將絕緣樹脂片設(shè)置于內(nèi)層電路基板上，使其與內(nèi)層電路基板的兩個面或一個面相接觸，在減壓下，經(jīng)由彈性材料進行加熱和加壓，由此將絕緣樹脂片層合在內(nèi)層電路基板上；(2)平滑化步驟，通過金屬板或金屬輥對層合后的絕緣樹脂片進行加熱和加壓，使絕緣樹脂片平滑；以及(3)熱固化步驟，將平滑后的絕緣樹脂片進行熱固化。
19.權(quán)利要求18所述的絕緣樹脂片，其中，熱固化性樹脂組合物的固化物層在層壓步驟和平滑化步驟中基本上不具有流動性。
20.多層印刷布線板，該多層印刷布線板由權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片形成絕緣層。
21.多層印刷布線板的制備方法，該方法包含以下步驟：(1)層壓步驟，將權(quán)利要求1所述的絕緣樹脂片設(shè)置于內(nèi)層電路基板上，使預(yù)浸料坯層與內(nèi)層電路基板的兩個面或一個面相接觸，在減壓下，經(jīng)由彈性材料進行加熱和加壓，由此將絕緣樹脂片層合在內(nèi)層電路基板上；(2)平滑化步驟，通過金屬板或金屬輥對層合后的絕緣樹脂片進行加熱和加壓；以及(3)熱固化步驟，將平滑后的絕緣樹脂片進行熱固化，形成絕緣層。
22.權(quán)利要求21所述的方法，其中，層壓步驟和平滑化步驟的絕緣樹脂片的加熱和加壓從支撐體層上進行。
23.權(quán)利要求21所述的方法，該方法進一步包含：在絕緣層上開孔的開孔步驟；將該絕緣層進行粗化處理的粗化步驟；通過鍍敷，在粗化后的絕緣層表面上形成導(dǎo)體層的鍍敷步驟；以及在導(dǎo)體層上形成電路的電路形成步驟。
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