[發(fā)明專利]一種薄膜熱敏電阻及其阻值調(diào)節(jié)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310651609.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103646739A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李旭瓊;駱?lè)f;張廷玖;袁昌來(lái);陳國(guó)華;馬家峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01C17/245
• 分類號(hào): H01C17/245;H01C7/00
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 唐智芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜熱敏電阻及其阻值調(diào)節(jié)方法，屬于電子陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

因具有溫度補(bǔ)償和過(guò)流保護(hù)等功能，膜狀熱敏電阻被廣泛應(yīng)用于復(fù)雜的集成電路中。通常采用絲網(wǎng)印刷和磁控濺射等技術(shù)來(lái)制備熱敏電阻，由于在制備的過(guò)程中熱敏膜的厚度無(wú)法精確控制，因而無(wú)法控制膜狀熱敏電阻阻值的精度。這樣制備出的膜狀電阻，其阻值達(dá)不到精度要求，還需要進(jìn)行阻值的精度調(diào)節(jié)。

目前工業(yè)上常采用激光照射對(duì)熱敏膜進(jìn)行切削以達(dá)到控制電阻阻值精度的目的。但這一方法存在以下不足：一是熱敏膜狀電阻具有較大的電阻溫度系數(shù)，激光照射所產(chǎn)生的熱量會(huì)傳給熱敏膜，電阻的電學(xué)特性在切削時(shí)將會(huì)變化，因此無(wú)法精確調(diào)節(jié)電阻；二是激光照射會(huì)引起電阻膜發(fā)熱蒸發(fā)，電學(xué)性能將發(fā)生部分變化；三是膜狀電阻絕緣襯底的熱導(dǎo)率一般較高，必須提高激光的輸出功率，這樣，由于激光照射產(chǎn)生的熱量會(huì)引起電阻器性能的老化。為了解決該問(wèn)題，日本專利JP-A-2001-35705和公開(kāi)號(hào)為CN1409329A的發(fā)明專利均公開(kāi)了一種薄膜熱敏電阻及其阻值調(diào)節(jié)方法，具體是在絕緣襯底上形成一對(duì)梳狀電極，用激光照射來(lái)切削電極金屬性圖案的一部分，而不用在熱敏膜上進(jìn)行切削。這一方法雖然可以精確調(diào)節(jié)薄膜熱敏電阻的阻值，但僅限于對(duì)電阻值的微調(diào)；在上述專利文獻(xiàn)中還提到，在對(duì)薄膜熱敏電阻阻值進(jìn)行粗調(diào)時(shí)，需要通過(guò)二次或多次鍍膜的方法來(lái)解決。而多次鍍膜會(huì)不僅會(huì)增加生產(chǎn)成本，而且當(dāng)樣品的阻值一旦于低于目標(biāo)阻值較多，即在電阻微調(diào)范圍之外時(shí)，就只能廢棄掉樣品。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種既可對(duì)阻值進(jìn)行粗調(diào)，又可對(duì)阻值進(jìn)行微調(diào)的薄膜熱敏電阻及其阻值調(diào)節(jié)方法。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

本發(fā)明所述的薄膜熱敏電阻，包括絕緣襯底，設(shè)置在絕緣襯底上的一對(duì)電極對(duì)，以及從一對(duì)電極中的至少一個(gè)上伸出用于阻值調(diào)節(jié)的金屬性圖案；其中：所述設(shè)置在絕緣襯底上的電極對(duì)包括第一電極和第二電極，所述的第一電極包括均具有重復(fù)凹凸結(jié)構(gòu)特征的第一分支和第二分支，所述第一分支的凹部正對(duì)于第二分支的凹部，且第一分支的凸部正對(duì)于第二分支的凸部；所述的第二電極包括具有重疊“工”字形結(jié)構(gòu)特征的工字形分支，所述工字形分支的橫端的兩端分別穿插于第一電極上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述第一電極和第二電極的幾何中心線相重合，并以該幾何中心線呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)；所述的金屬性圖案具有用于切削的切割部，所述的切割部包括至少一個(gè)用于微調(diào)阻值的微調(diào)切割部和至少一個(gè)用于粗調(diào)阻值的粗調(diào)切割部，所述的粗調(diào)切割部穿插于第一電極上第一分支的凸部中和/或第二分支的凸部中。通過(guò)設(shè)計(jì)特殊結(jié)構(gòu)的電極對(duì)，同時(shí)在用于調(diào)節(jié)阻值的金屬性圖案上同時(shí)設(shè)計(jì)有用于微調(diào)阻值的微調(diào)切割部和用于粗調(diào)阻值的粗調(diào)切割部，并將所述的粗調(diào)切割部分別穿插于電極對(duì)中的第一電極的凸部結(jié)構(gòu)中，使得在將所述的粗調(diào)切割部切削后可以起到較大范圍的調(diào)整阻值的作用；而微調(diào)切割部則可以起到微調(diào)阻值的作用，因此，本發(fā)明所述薄膜熱敏電阻可同時(shí)實(shí)現(xiàn)阻值的粗調(diào)和微調(diào)功能。

上述技術(shù)方案中，微調(diào)切割部和粗調(diào)切割部的個(gè)數(shù)可根據(jù)需要進(jìn)行確定。本申請(qǐng)中對(duì)微調(diào)切割部的設(shè)置位置沒(méi)有要求，只要是設(shè)置在金屬性圖案上，且位于電極對(duì)之間的區(qū)間上、并且便于切割也便于熱敏膜的形成即可。

上述技術(shù)方案中，還包括一層覆蓋在所述的電極對(duì)之上以及切削用切割部的一部分之上的熱敏膜。該熱敏膜的厚度根據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)值再經(jīng)過(guò)計(jì)算得出，在形成該熱敏膜時(shí)，控制形成的熱敏膜的阻值略微低于熱敏膜的目標(biāo)阻值(設(shè)計(jì)值)。

上述技術(shù)方案中，還包括設(shè)置于熱敏膜之上的保護(hù)膜。

上述技術(shù)方案中，還可以包括一設(shè)置在絕緣襯底主平面上的絕緣涂層，此時(shí)所述的電極對(duì)則設(shè)置在該絕緣涂層之上。

本發(fā)明所述的薄膜熱敏電阻按現(xiàn)有常規(guī)方法進(jìn)行制作。

本發(fā)明還包括調(diào)節(jié)上述薄膜熱敏電阻的阻值的方法，包括以下步驟：

首先，在絕緣襯底上形成一對(duì)電極對(duì)以及用于阻值調(diào)節(jié)的金屬性圖案，在電極對(duì)之上以及切削用切割部的一部分之上形成一定厚度的熱敏膜，所述熱敏膜的厚度根據(jù)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)值并經(jīng)過(guò)計(jì)算得出；在形成該熱敏膜時(shí)，控制形成的熱敏膜的阻值稍低于熱敏膜的目標(biāo)阻值；

其次，測(cè)量上述已形成熱敏膜的樣品的阻值，根據(jù)測(cè)得的阻值，比較與目標(biāo)阻值的偏差，如果偏差較大，則通過(guò)切削金屬性圖案的粗調(diào)切割部進(jìn)行粗調(diào)電阻；如果偏差較小，則通過(guò)切削金屬性圖案的微調(diào)切割部進(jìn)行微調(diào)電阻，從而將電阻調(diào)至所需的值；

最后，在經(jīng)過(guò)阻值調(diào)整的樣品上形成保護(hù)膜。