[發(fā)明專利]一種薄膜熱敏電阻及其阻值調(diào)節(jié)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310651609.0 | 申請日: | 2013-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN103646739A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李旭瓊;駱穎;張廷玖;袁昌來;陳國華;馬家峰 | 申請(專利權(quán))人: | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01C17/245 | 分類號: | H01C17/245;H01C7/00 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 45107 | 代理人: | 唐智芳 |
| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 熱敏電阻 及其 阻值 調(diào)節(jié) 方法 | ||
1.一種薄膜熱敏電阻,包括絕緣襯底(1),設(shè)置在絕緣襯底(1)上的一對電極對,以及從一對電極中的至少一個上伸出用于阻值調(diào)節(jié)的金屬性圖案;其特征在于:
所述設(shè)置在絕緣襯底(1)上的電極對包括第一電極(2)和第二電極(3),所述的第一電極(2)包括均具有重復(fù)凹凸結(jié)構(gòu)特征的第一分支(2a)和第二分支(2b),所述第一分支(2a)的凹部正對于第二分支(2b)的凹部,且第一分支(2a)的凸部正對于第二分支(2b)的凸部;所述的第二電極(3)包括具有重疊“工”字形結(jié)構(gòu)特征的工字形分支(3a),所述工字形分支(3a)的橫端的兩端分別穿插于第一電極(2)上第一分支(2a)的凹部中和第二分支(2b)的凹部中;所述第一電極(2)和第二電極(3)的幾何中心線相重合,并以該幾何中心線呈對稱結(jié)構(gòu);
所述的金屬性圖案具有用于切削的切割部,所述的切割部包括至少一個用于微調(diào)阻值的微調(diào)切割部(5)和至少一個用于粗調(diào)阻值的粗調(diào)切割部(4),所述的粗調(diào)切割部(4)穿插于第一電極(2)上第一分支(2a)的凸部中和/或第二分支(2b)的凸部中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜熱敏電阻,其特征在于:還包括一層覆蓋在所述的電極對之上以及切削用切割部的一部分之上的熱敏膜(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜熱敏電阻,其特征在于:還包括設(shè)置于熱敏膜(6)之上的保護膜(7)。
4.調(diào)節(jié)權(quán)利要求1~3中任一項所述薄膜熱敏電阻的阻值的方法,包括以下步驟:
在絕緣襯底(1)上形成一對電極對以及用于阻值調(diào)節(jié)的金屬性圖案,在電極對之上以及切削用切割部的一部分之上形成一定厚度的熱敏膜(6),所述熱敏膜(6)的厚度根據(jù)實驗統(tǒng)計值并經(jīng)過計算得出;在形成該熱敏膜(6)時,控制形成的熱敏膜(6)的阻值稍低于熱敏膜(6)的目標阻值;
其次,測量上述已形成熱敏膜(6)的樣品的阻值,根據(jù)測得的阻值,比較與目標阻值的偏差,如果偏差較大,則通過切削金屬性圖案的粗調(diào)切割部(4)進行粗調(diào)電阻;如果偏差較小,則通過切削金屬性圖案的微調(diào)切割部(5)進行微調(diào)電阻,從而將電阻調(diào)至所需的值;
最后,在經(jīng)過阻值調(diào)整的樣品上形成保護膜(7)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于桂林電子科技大學(xué),未經(jīng)桂林電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310651609.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





