[發明專利]一種適合于LED照明應用的多芯片QFN封裝在審
| 申請號: | 201310650663.3 | 申請日: | 2013-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN104681517A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發明(設計)人: | 陸宇;蔣德軍;程玉華 | 申請(專利權)人: | 上海北京大學微電子研究院 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L25/075 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適合于 led 照明 應用 芯片 qfn 封裝 | ||
1.一種多芯片QFN封裝結構,其特征在于包括,至少一顆PWM控制器的芯片,用于實現封裝器件的控制LED照明功能;QFN封裝管殼;基島,所述芯片設置在所述基島上;圍繞所述基島布置的多個焊盤;所述封裝結構的封裝空間內填充的絕緣材質;其特征在于,至少一個所述焊盤與所述基島連通,其余焊盤通過金線與所述芯片連接。
2.如權利要求1所述的多芯片QFN封裝結構,其特征在于,與基島所在的一面相對的所述封裝結構的另一面設置有導熱金屬結構。
3.如權利要求2所述的QFN封裝結構,其特征在于,所述導熱金屬結構材質為不銹鋼。
4.如權利要求2所述的封裝結構,其特征在于,所述導熱金屬結構的厚度范圍為:150um—350um。
5.如權利要求2所述的QFN封裝結構,其特征在于,所述導熱金屬結構與所述絕緣材質之間通過銀漿粘結。
6.如權利要求1所述的QFN封裝結構,其特征在于,所述芯片的背面與所述基島通過銀漿粘結。
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