[發(fā)明專利]基于一維硒化鎘/碳雜化納米結(jié)構(gòu)的光電探測器件及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310650605.0
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN103681902A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 艾易龍;程抱昌
• 申請（專利權(quán)）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296;H01L31/0203;H01L31/18;B82Y15/00
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.基于一維硒化鎘/碳雜化納米結(jié)構(gòu)的光電探測器件，其特征是包括普通玻璃（1）、封裝層（2）、單根一維硒化鎘/碳雜化納米材料（3）、導線（4）、金屬電極（5）、薄膜基底（6）；單根一維硒化鎘/碳雜化納米材料（3）放置在薄膜基底（6）上，導線（4）接入單根一維硒化鎘/碳雜化納米材料（3）的兩個金屬電極（5）端，封裝層（2）將單根一維硒化鎘/碳雜化納米材料（3）封裝在薄膜基底（6）上，封裝層（2）上為普通玻璃（1）層；

所述使用的薄膜基底材料是聚乙酰胺薄膜或聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜；

所述的封裝層采用乙烯乙烯基醋酸鹽膠膜作為封裝材料。

2.權(quán)利要求1所述的光電探測器件的制備方法，其特征是在平整的薄膜基底上放置單根一維硒化鎘/碳雜化納米結(jié)構(gòu)材料；在硒化鎘/碳雜化納米結(jié)構(gòu)兩端點上金/銀/鉑漿，形成金屬電極，與此同時在兩端金屬電極處分別粘接銅導線，在潔凈的大氣環(huán)境中放置3-5小時；將封裝材料緩慢地貼覆在整個單根一維硒化鎘/碳雜化納米結(jié)構(gòu)材料及薄膜基底上，之后再將普通玻璃平穩(wěn)放在封裝層上，在150℃真空烘箱保溫30分鐘。