[發明專利]一種適合高速芯片應用的QFN封裝設計

在審

• 申請號: 201310650573.4
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN104681551A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 鄒榮;蔣德軍;程玉華
• 申請（專利權）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/31
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明涉及半導體器件的封裝技術領域，尤其涉及一種多芯片QFN封裝結構。

背景技術

在半導體封裝工藝中，方形扁平無引腳封裝有很多優點，比如封裝的成本低，能夠提供卓越的性能，通過增加基島面積解決芯片散熱等，但有一些缺陷，比如可用的電極觸點數量比較少。目前的QFN封裝結構大多是單顆芯片封裝成一個QFN封裝，也有廠家將兩三個芯片封裝在一起。但這些廠家只是從提高集成度和可靠性角度考慮問題，本發明還考慮到芯片的散熱問題。

發明內容

本發明的目的是針對LED照明提出的特定封裝解決方案，用以實現一顆比較復雜的芯片采用一個QFN封裝。

本發明提供了一種多芯片QFN封裝結構，用以提高集成度，并且解決芯片發熱量較大的問題；

QFN封裝管殼；

電連接芯片，用于與所述QFN封裝管殼以及所述三個芯片進行點連接。

本發明所述多芯片QFN封裝結構還包括金屬連接線，用于所述電連接芯片的壓焊盤相連接，再通過金屬連接線與另一所述的幾個芯片的壓焊盤相連接。

進一步優選地，所述PWM控制器的芯片的壓焊盤通過金屬連接線與所述功率MOS，肖特基二極管和電連接芯片的一個壓焊盤相連接，再通過金屬連接線與所述QFN封裝管殼的電極觸點相連接。

進一步優選地，所述帶有PWM控制器的芯片的壓焊盤通過金屬連接線與所述電連接芯片的一個壓焊盤相連接，再通過金屬連接線與另一所述功率MOS和肖特基二極管的芯片的壓焊盤相連接，并且所述帶有PWM控制器的芯片的另一壓焊盤通過金屬連接線與所述電連接芯片的另一壓焊盤相連接，再通過金屬連接線與QFN封裝管殼的電極觸點相連接。

本發明通過在QFN封裝結構中增加一顆電連接芯片，實現了將一顆或多顆芯片封裝在QFN管殼內，從而解決了由于受到QFN封裝設計規則的限制，如封裝內部短引線，引線不能交叉等而導致很多復雜芯片在需要進行多芯片封裝時無法采用QFN封裝的問題。

附圖說明

圖1為本發明實施例一提供的QFN裝置結構的俯視示意圖；

圖2為本發明實施例提供的QFN管殼示意圖；

圖3為本發明實施例提供的芯片die示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的，技術方案和優點更加清楚，下面結合附圖對本發明具體實施例作進一步的詳細描述。

下述實施例描述的為一種多芯片QFN封裝結構。

如圖1所示，QFN封裝結構具體包括多芯片die，QFN管殼，以及各個芯片的壓焊盤之間以及QFN管殼的電極觸點與各個芯片壓焊盤之間的連接線。

QFN管殼中封裝了PWM控制器，功率MOS以及肖特基二極管的管芯，采用大面積基島解決了芯片散熱難題。

在現有技術中，因為受限于QFN封裝工藝的設計規則，金屬連接線的長度不能超過一定的值，因而如果不同芯片的die間進行引線鍵合可能會出現交叉等問題。若想實現連接起來的電路功能，必須通過對這些芯片進行單獨封裝，再進行外部點連接才能實現。