[發明專利]一種鈣鈦礦結構太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201310650505.8
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN103700768A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 袁寧一;董旭;丁建寧;胡宏偉;房香
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種鈣鈦礦結構太陽能電池，所述太陽能電池從下至上依次為FTO導電玻璃層、n型層、雜化鈣鈦礦結構的CH₃NH₃PbI₃層、P型層和金屬電極，其特征在于；所述P型層為p型硅薄膜。

2.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池，其特征在于：所述的n型層為氧化鈦或氧化鋅層，層厚為5-15nm。

3.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池，其特征在于：所述的FTO導電玻璃層的方塊電阻是10-15Ω，透過率在78-83%。

4.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池，其特征在于：所述的鈣鈦礦結構的CH₃NH₃PbI₃層的層厚為300-500nm。

5.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池，其特征在于：所述p型硅薄膜的層厚為5-15nm。

6.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池，其特征在于：所述金屬電極為Al電極，層厚為100nm。

7.如權利要求1所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池的制備方法，包括在FTO導電玻璃先沉積n型層的步驟，然后再在n型層上制備一層雜化鈣鈦礦結構CH₃NH₃PbI₃的步驟，接著在雜化鈣鈦礦結構CH₃NH₃PbI₃層上沉積p型層的步驟，最后在p型層上沉積金屬電極層的步驟；其特征在于：通過等離子體化學氣相沉積方法制備p型層。

8.如權利要求7所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述的通過等離子體化學氣相沉積方法制備p型層的工藝參數為：沉積溫度70-90^oC，射頻功率為15-30W，硼的摻雜比例0.5-2%。

9.如權利要求7所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述的氧化鋅或氧化鈦層利用原子層沉積方法制備，該方法可以制備出非常致密的氧化物，并且膜厚可以準確控制。

10.如權利要求7所述的一種鈣鈦礦結構太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述的鈣鈦礦結構的CH₃NH₃PbI₃層通過溶液法或共蒸發方法制備；所述的金屬電極通過熱蒸發或濺射方法制備。