[發(fā)明專利]一種高速IC-QFN封裝協(xié)同優(yōu)化設(shè)計(jì)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310650409.3 | 申請日： | 2013-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN104701292A | 公開（公告）日： | 2015-06-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉少龍;程玉華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海北京大學(xué)微電子研究院 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高速 ic qfn 封裝 協(xié)同 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種高速IC-QFN封裝，其特征在于：采用三維封裝工藝，包含兩個(gè)及兩個(gè)以上芯片的封裝，芯片總管腳數(shù)不太高的情況下可使用，堆疊芯片之間的連接采用硅通孔工藝，芯片到地的連接通過硅通孔工藝直接連接到中央散熱焊盤，QFN封裝中中央焊盤是直接與地相連接的;在減小熱應(yīng)力方面，本發(fā)明采用改進(jìn)的封裝流程和改進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)以減小熱應(yīng)力對芯片可靠性的影響。
2.如權(quán)利要求1所述的高速IC-QFN封裝，其特征在于采用QFN布線代替?zhèn)鹘y(tǒng)的bonding?wire。
3.如權(quán)利要求1所述的高速IC-QFN封裝，其特征在于RF芯片需要連接到地的端口通過TSV通孔線穿過大功率芯片，由底部散熱板連接到地。
4.如權(quán)利要求1所述的三維TSV技術(shù)，其特征在于采用激光刻蝕。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片與布線之間的連接使用的材料為錫。
6.如權(quán)利要求1所述的三維TSV技術(shù)，其特征在于下層芯片減薄至100um，通孔直徑為50um。
7.如權(quán)利要求1所述的采用的新型封裝流程，其特征在于在傳統(tǒng)的注塑固化之前增加一步流程退火的工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于最下層芯片外圍增加環(huán)形的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于底層散熱板與底層芯片的厚度比為1：1。
10.如權(quán)利要求1所述的高速IC-QFN封裝，其特征在于下層芯片減薄至100um，通孔直徑為50um。
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