[發明專利]帶凸部的電子元器件及帶凸部的電子元器件的制造方法

有效

• 申請號: 201310647631.8
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103855118B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 大部功;長壁伸也
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 張鑫

技術領域

本發明涉及帶凸部的電子元器件及帶凸部的電子元器件的制造方法。

背景技術

在帶凸部的電子元器件、例如具有凸部的半導體基板中，已知有如下半導體基板：所述半導體基板具備多個在與該半導體基板主面平行的方向上的截面積不同的凸部（參照專利文獻1）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2001-223321號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

如上所述，在以鍍膜來形成與半導體基板主面平行的方向上的截面積互不相同的凸部的情況下，由于鍍膜的成長速度根據截面積不同的凸部而不同，因此，會發生以下情況：即，在形成鍍膜后，對于每個截面積不同的凸部，距離基板主面的高度都各不相同。更詳細而言，由于凸部的截面積（直徑）越大鍍膜的成長速度越快，因此，對于截面積越大的凸部，距離基板主面的高度也越高。

在像這樣將形成有高度不同的凸部的半導體基板安裝于安裝基板的情況下，半導體基板會被安裝成向安裝基板傾斜。因此，半導體基板上的電路與安裝基板之間會產生不需要的電容，從而會導致發生半導體芯片的特性變化這樣的情況。

另外，在傾斜安裝半導體基板的情況下，應力會集中于截面積較小的凸部與半導體基板之間的連接部、即距離主面的高度較低的凸部與半導體基板之間的連接部上，從而會導致發生半導體基板與安裝基板之間產生連接不良的情況。

本發明鑒于上述情況而完成，其目的在于防止半導體芯片的特性變化及半導體基板與安裝基板之間的連接不良。

解決技術問題所采用的技術方案

為了解決上述問題，本發明的帶凸部的電子元器件的特征在于，包括：電路基板；以及第一及第二凸部，該第一及第二凸部形成于電路基板的主面上，所述第一及第二凸部在與所述主面平行的方向上的截面積不同，第一及第二凸部中截面積較小的凸部在相對于所述主面垂直的方向上具有高度調整層。

另外，本發明的帶凸部的電子元器件的制造方法包括在電路基板的主面上形成第一及第二凸部的工序，所述第一及第二凸部在與該主面平行的方向上的截面積互不相同，該形成凸部的工序包括在形成第一及第二凸部中截面積較小的凸部時、沿相對所述主面垂直的方向形成高度調整層的工序。

發明效果

根據本發明，能防止半導體芯片的特性變化及半導體基板與安裝基板之間的連接不良。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1所涉及的帶凸部的電子元器件的剖視圖。

圖2是本發明的實施方式2所涉及的帶凸部的電子元器件的剖視圖。

圖3是表示制造本發明的實施方式1所涉及的帶凸部的電子元器件的工序的圖。

圖4是表示制造本發明的實施方式2所涉及的帶凸部的電子元器件的工序的圖。

圖5是制造實施方式1及實施方式2所涉及的帶凸部的電子元器件的工序的一個工序的說明圖。

圖6是本發明的實施方式4所涉及的功率放大器的框結構圖。

圖7是表示構成本發明的實施方式4所涉及的功率放大器的功率放大器模塊的安裝狀態的俯視圖。

圖8是圖7的I－I剖視圖。

具體實施方式

（實施方式1：結構）

圖1是實施方式1所涉及的、例如半導體芯片等帶凸部的電子元器件（以下稱為電子元器件）的剖視圖。

電子元器件100的電路基板1是制造半導體基板、SAW（Surface?Acoustic?Wave：表面聲波）濾波器等的壓電基板。半導體基板例如是GaAs基板、Si基板等，壓電基板例如是水晶基板、LiTaO₃基板、LiNbO₃基板。在該電路基板1的基板主面1a上形成半導體電路（未圖示）。

另外，在電路基板1上，包括圓柱形的凸部B1和B2，所述凸部B1和B2在與基板主面1a平行的方向上的截面積（以下稱為截面積）互不相同，凸部B1的截面積S1比凸部B2的截面積S2要小。另外，凸部B1和B2距離基板主面1a的高度都為50μm左右。這里，凸部B1、B2的主要材料是Cu，但除了Cu以外，還可以使用Au，例如以電鍍來形成。電路基板1上除凸部B1和B2以外的區域形成有保護膜（例如SiN_x：膜厚0.5μm）8。此外，凸部B1和B2的形狀并不局限于圓柱形，也可以是棱柱形等。