[發(fā)明專利]一種鐵氧體粉體及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310643115.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103714931A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳震;戴春雷;王其艮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳順絡(luò)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01F1/36 | 分類號(hào): | H01F1/36;C04B35/26;C04B35/628 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518110 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鐵氧體 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁性材料,特別是涉及一種鐵氧體粉體及其制備方法。
背景技術(shù)
近年來,隨著電子元器件的廣泛應(yīng)用,在注重元器件性能的同時(shí),也更關(guān)注元器件的可靠性。在干法工藝平臺(tái)制作例如普通的疊層片式電子元器件時(shí),需要在基材料片上激光打孔,形成一通孔,以保證電極與上一層電極的有效連接。鐵氧體材料制漿流延后的料片激光打孔,通孔孔徑周圍及孔內(nèi)會(huì)殘留粉塵,不同配方的鐵氧體流延料片打孔后粉塵殘留情況會(huì)有差異。打孔后在料片上進(jìn)行電極制作時(shí),通孔周圍及孔內(nèi)的鐵氧體粉塵會(huì)混入電極漿料中,粉塵殘留較多時(shí),會(huì)影響電極導(dǎo)通效果,造成產(chǎn)品有開路風(fēng)險(xiǎn);少量的粉塵混入電極漿料中,也會(huì)增大電極的直流電阻,影響元器件的性能和可靠性。
在現(xiàn)有降低粉塵的方案中,主要有兩種措施,一是增加鐵氧體料片打孔后的除塵工序。但這種技術(shù)具有明顯缺陷:1、對(duì)于除塵設(shè)備要求嚴(yán)格,部分鐵氧體配方流延料片開孔后通孔周圍料片表面粉塵堆積嚴(yán)重,倘若除塵刷毛硬度不足,通孔周圍粉塵很難被掃動(dòng);若除塵刷毛硬度太硬,會(huì)刮傷流延料片表面。兩種都會(huì)影響電極、通孔連接的導(dǎo)通效果;2、倘若除塵毛刷在清理料片表面的粉塵時(shí),粉塵未能及時(shí)徹底排出,粉塵會(huì)聚集于通孔內(nèi)部,影響通孔連接的導(dǎo)通效果,存在開路風(fēng)險(xiǎn)。二是采用固態(tài)激光開孔器代替普通激光開孔機(jī),但此種措施采用的設(shè)備成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種鐵氧體粉體及其制備方法,通過改進(jìn)鐵氧體粉體來降低鐵氧體材料流延料片開孔粉塵,從根本上解決了料片打孔后的粉塵殘留問題,且不影響內(nèi)電極與通孔連接點(diǎn)的有效連接。
本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決:
一種鐵氧體粉體,所述鐵氧體微粒的粒徑為0.5~2.0μm,還包括二氧化硅層,每個(gè)所述鐵氧體微粒的表面均包覆有所述二氧化硅層。
優(yōu)選地,所述鐵氧體微粒的粒徑為0.8~1.2μm。
一種上述鐵氧體粉體的制備方法,包括如下步驟:
(1)制備粒徑為0.5~2.0μm的鐵氧體微粒Ⅰ;
(2)用0.5~2mol/L的HCl溶液清洗所述鐵氧體微粒Ⅰ并過濾以除去所述鐵氧體微粒Ⅰ中溶于所述HCl溶液的雜質(zhì)離子,濾餅清洗并烘干得到干燥的鐵氧體微粒Ⅱ;
(3)將所述鐵氧體微粒Ⅱ加入醇類溶劑中,加入分散劑后充分?jǐn)嚢璺稚ⅲ缓蠹尤氚彼當(dāng)嚢杈鶆蚝螅僦鸬渭尤胝杷嵋阴ィㄟ^所述正硅酸乙酯的水解和縮合反應(yīng)生成二氧化硅,使得每一個(gè)鐵氧體微粒Ⅱ的外表面均包覆有所述二氧化硅。
優(yōu)選地,步驟(1)中所述鐵氧體微粒Ⅰ的粒徑為0.8~1.2μm。
優(yōu)選地,步驟(3)中所述氨水占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的5~10%,所述正硅酸乙酯占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的1~10%。
優(yōu)選地,所述氨水占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的5~7%。
優(yōu)選地,所述正硅酸乙酯占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的3~5%。
優(yōu)選地,步驟(2)中,將所述鐵氧體微粒Ⅰ浸泡在0.8~1.0mol/L的HCl溶液中,充分?jǐn)嚢?~5小時(shí),過濾后將濾餅用去離子水和無水乙醇交替清洗1~5次。
優(yōu)選地,所述分散劑占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的1~5%。
優(yōu)選地,包括如下步驟:
(1)將鐵氧體材料采用球磨制備粒徑為0.8~1.2μm的鐵氧體微粒Ⅰ;
(2)將所述鐵氧體微粒Ⅰ浸泡在0.8~1mol/L的HCl溶液中,充分?jǐn)嚢?~5小時(shí),然后過濾,將濾餅用去離子水和無水乙醇交替清洗3~4次后烘干得到干燥的鐵氧體微粒Ⅱ;;
(3)將所述鐵氧體微粒Ⅱ加入到乙醇中,并加入占所述鐵氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的2~3%的分散劑后充分?jǐn)嚢璺稚ⅲ偌尤胝妓鲨F氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的5~7%的氨水?dāng)嚢杈鶆蚝螅僦鸬渭尤胝妓鲨F氧體微粒Ⅱ質(zhì)量的3~5%的正硅酸乙酯,通過所述正硅酸乙酯的水解和縮合反應(yīng)生成二氧化硅,使得每一個(gè)鐵氧體微粒Ⅱ的外表面均包覆有所述二氧化硅。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比的有益效果是:用本發(fā)明的鐵氧體粉體流延出的料片的開孔粉塵可以大幅度降低,改善了通孔附近及內(nèi)部粉塵,并且不影響內(nèi)電極與通孔連接點(diǎn)的有效連接,可以降低產(chǎn)品開路風(fēng)險(xiǎn),提高元器件的可靠性。
附圖說明
圖1是是本發(fā)明實(shí)施例一中得到的料片的微觀形貌圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中得到的料片打孔后的圖片;
圖3是是本發(fā)明對(duì)比例中得到的料片的微觀形貌圖;
圖4是本發(fā)明對(duì)比例中得到的料片打孔后的圖片。
具體實(shí)施方式
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