[發明專利]一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構及工藝方法

有效

• 申請號: 201310642091.4
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103681582A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 梁志忠;梁新夫;王亞琴
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術領域

本發明涉及一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構及工藝方法。屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

傳統的四面扁平無引腳金屬引線框結構主要有兩種：

一種是四面扁平無引腳封裝（QFN）引線框，這種結構的引線框由銅材金屬框架與耐高溫膠膜組成（如圖16所示）。

一種是預包封四面扁平無引腳封裝（pQFN）引線框，這種結構的引線框結構包括引腳與基島，引腳與基島之間的蝕刻區域填充有塑封料（如圖17所示）。

上述傳統金屬引線框存在以下缺點：

1、傳統金屬引線框作為裝載芯片的封裝載體，本身不具備系統功能，從而限制了傳統金屬引線框封裝后的集成功能性與應用性能；

2、由于傳統金屬引線框本身不具備系統功能，只能在引線框正面進行芯片及組件的平鋪或者堆疊封裝。而功率器件與控制芯片封裝在同一封裝體內，功率器件的散熱會影響控制芯片信號的傳輸；

3、由于傳統金屬引線框本身不具備系統功能，所以多功能系統集成模塊只能在傳統金屬引線框正面通過多芯片及組件的平鋪或堆疊而實現，相應地也就增大元器件模塊在PCB上所占用的空間。

發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構及工藝方法，它能夠解決傳統金屬引線框缺乏系統功能的問題。

本發明的目的是這樣實現的：一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構的工藝方法，所述方法包括如下步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼光阻膜作業

在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業的金屬基板表面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜；

步驟四、化學蝕刻

在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區域內進行化學蝕刻，化學蝕刻完成后即形成相應的基島與臺階形引腳；

步驟五、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟六、貼光阻膜作業

在金屬基板的表面貼上可進行曝光顯影的光阻膜；

步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜

利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續需要進行電鍍的區域圖形；

步驟八、電鍍金屬線路層

在步驟七的金屬基板背面進行金屬線路層的電鍍工作，金屬線路層電鍍完成后即依據圖形在金屬基板上形成相應的基島和引腳；

步驟九、去除光阻膜

去除金屬基板表面的光阻膜；

步驟十、裝片

在步驟八的基島正面通過導電或不導電粘結物質植入芯片；

步驟十一、金屬線鍵合

在芯片正面與引腳臺階面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟十二、包封

對步驟十一的金屬基板內部采用塑封料進行塑封，塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平；

步驟十三、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑（OSP）

在完成步驟十二后的金屬基板表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層或是披覆抗氧化劑（OSP）。

步驟十四、植球

在完成步驟十三的引腳背面植入金屬球。

一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構，它包括金屬基板框，在所述金屬基板框內部設置有基島和引腳，所述引腳呈臺階狀，所述基島和引腳的正面與金屬基板框正面齊平，所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平，所述基島背面與引腳的臺階面齊平，所述引腳的臺階面上設置有金屬層，所述基島的背面通過導電或不導電粘結物質設置有芯片，所述芯片的正面與引腳的臺階面上的金屬層表面之間用金屬線相連接，所述基島外圍的區域、基島和引腳之間的區域、引腳與引腳之間的區域、基島和引腳上部的區域、基島和引腳下部的區域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料，所述塑封料與金屬基板框的上下表面齊平，在所述基島正面、引腳的正面和金屬基板框的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(OSP)，在所述引腳的背面設置有金屬球。

與現有技術相比，本發明具有以下有益效果：

1、金屬框減法技術框架的夾層可以因為系統與功能的需要而在需要的位置或是區域內埋入主動元件或是組件或是被動的組件，成為一個單層線路系統級的金屬引線框架。