[發(fā)明專利]一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構及工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310642091.4 | 申請日: | 2013-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN103681582A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 梁志忠;梁新夫;王亞琴 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一次 先蝕后 鍍金 減法 芯片 正裝凸點 結構 工藝 方法 | ||
1.一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構的工藝方法,所述方法包括如下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、貼光阻膜作業(yè)
在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟三、金屬基板表面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設備將步驟二完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板表面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜;
步驟四、化學蝕刻
在步驟三中金屬基板表面去除部分光阻膜的區(qū)域內進行化學蝕刻,化學蝕刻完成后即形成相應的基島與臺階形引腳;
步驟五、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
在金屬基板的表面貼上可進行曝光顯影的光阻膜;
步驟七、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形;
步驟八、電鍍金屬線路層
在步驟七的金屬基板背面進行金屬線路層的電鍍工作,金屬線路層電鍍完成后即依據(jù)圖形在金屬基板上形成相應的基島和引腳;
步驟九、去除光阻膜
去除金屬基板表面的光阻膜;
步驟十、裝片
在步驟八的基島正面通過導電或不導電粘結物質植入芯片;
步驟十一、金屬線鍵合
在芯片正面與引腳背面之間進行鍵合金屬線作業(yè);
步驟十二、包封
對步驟十一的金屬基板內部采用塑封料進行塑封,塑封料與金屬基板的正面和背面均齊平;
步驟十三、電鍍抗氧化金屬層或是被覆抗氧化劑(OSP)
在完成步驟十二后的金屬基板表面裸露在外的金屬進行電鍍抗氧化金屬層(OSP);
步驟十四、植球
在完成步驟十三的引腳背面植入金屬球。
2.由權利要求1所制得的一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構,其特征在于它包括金屬基板框(1),在所述金屬基板框(1)內部設置有基島(2)和引腳(3),所述引腳(3)呈臺階狀,所述基島(2)和引腳(3)的正面與金屬基板框(1)正面齊平,所述引腳3的背面與金屬基板框(1)的背面齊平,所述基島(2)背面與引腳(3)的臺階面齊平,所述引腳(3)的臺階面上設置有金屬層(10),所述基島(2)的背面通過導電或不導電粘結物質(4)設置有芯片(5),所述芯片(5)的正面與引腳(3)的臺階面上金屬層表面之間用金屬線(6)相連接,所述基島(2)外圍的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)之間的區(qū)域、引腳(3)與引腳(3)之間的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)上部的區(qū)域、基島(2)和引腳(3)下部的區(qū)域以及芯片(5)和金屬線(6)外均包封有塑封料(7),所述塑封料(7)與金屬基板框(1)的上下表面齊平,在所述基島(2)正面、引腳(3)的正面和金屬基板框(1)的表面鍍有抗氧化層或被覆抗氧化劑(OSP)(8),在所述引腳(3)的背面植入金屬球(9)。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種一次先蝕后鍍金屬框減法埋芯片正裝凸點結構,其特征在于:所述芯片(5)與基島(2)背面之間設置有金屬層(10)。
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