[發明專利]一種用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法

無效

• 申請號: 201310640467.8
• 申請日: 2013-12-04
• 公開（公告）號: CN103643305A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 劉京明;劉彤;楊俊;董志遠;趙有文
• 申請（專利權）人: 北京華進創威電子有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;F27B14/10
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法，其特征在于，該制備方法具體為：

1）根據具體需要，預先加工鉭坩堝體和鉭坩堝蓋；

2)對鉭坩堝體和鉭坩堝蓋進行清洗處理處理，去除表面油污及雜質；

3)將鉭坩堝體和鉭坩堝蓋置于封閉的裝有高純石墨粉的石墨坩堝內，鉭坩堝體和鉭坩堝的內外各表面均勻與石墨粉接觸；

4)將石墨坩堝放置于加熱爐內，在設定條件下依次進行低溫、高溫加熱處理；

5)取出處理后的鉭坩堝體和鉭坩堝蓋，清洗、烘干后得到表面經過碳化的TaC坩堝。

2.如權利要求1所述的用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法，其特征在于，所述石墨粉純度＞4N，顆粒度＜100um。

3.如權利要求1所述的用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中清洗處理處理步驟包括：

A)將坩堝在室溫下依次通過丙酮、酒精、去離子水超聲清洗5-10分鐘，以去除坩堝表面的油污；

B)再將坩堝通過HCl：HNO₃混合溶液進行加熱清洗清洗溫度為40-80℃，時間約為30分鐘，以去除坩堝表面其金屬雜質；

C)最后將坩堝經過去離子水煮沸10分鐘，重復3次；

D)經過上述過程清洗的坩堝經過烤箱烘干待用。

4.如權利要求1所述的用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法，其特征在于，所述HCl：HNO₃按照體積3:1混合得到混合溶液。

5.如權利要求1所述的用于高溫氣相法晶體生長的TaC坩堝的制備方法，其特征在于，所述步驟4）中具體處理過程為：

?A)將石墨坩堝放置于加熱爐內，爐體抽真空至10^-2Pa；

B)?向爐體中充入Ar氣至100-300Pa，作為保護氣體，然后將加熱爐從室溫升溫至1100℃并維持1-2h，升溫速率為200-300℃/h；

C)?維持爐體內Ar氣壓力100-300Pa，將爐體溫度從1100℃升溫至1500℃并維持1-2h，升溫速率為200-300/h；

?D)維持爐體內Ar壓力100-300Pa，將爐體溫度從1500℃升溫至2000℃并維持2-3h,?升溫速率為200-300/h；

?E)維持爐體壓力100-300Pa，再將爐體溫度從2000℃緩慢升溫至2400℃,并恒定3-5h，升溫速率為100-200/h；

F)恒溫結束后，將溫度從2400緩慢降至室溫，降溫速率為200-300/h，降溫過程中維持加熱爐內Ar氣壓力為100-300Pa。