[發(fā)明專利]一種模擬IO靜電放電電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310637009.9 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103646946B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李志國 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平區(qū)北七家未*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 模擬 io 靜電 放電 電路 | ||
1.一種模擬IO靜電放電電路，其特征在于該電路由LDMOS106和P型Diode105構(gòu)成，LDMOS連接在IO?PAD104與GND102之間，提供PAD與GND之間的ESD保護，LDMOS的源極和襯底接于GND102，漏極接于IO?PAD104，柵極接于RC延遲電路；P型Diode連接在IO?PAD104與VDD101電源之間，提供PAD與電源之間的ESD保護，Diode的陽極接于IO?PAD104，陰極接于電源VDD101。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于LDMOS106采用最小設(shè)計規(guī)則設(shè)計，由CMOS標(biāo)準(zhǔn)Silicide工藝加工制造，節(jié)省了ESD設(shè)計專用的silicide?blocking?mask，其溝道寬度取值范圍為1000um-4000um。
3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于LDMOS106的柵極由RC延遲電路驅(qū)動，電阻R107由多晶電阻或者有源電阻構(gòu)成，電容C108由PMOS柵電容構(gòu)成，電阻R107連接于LDMOS106的柵極和GND102之間，電容C108連接于LDMOS106的柵極和VDD101之間，RC乘積的取值范圍為150nS-1000nS。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于該IO單元從PAD104至內(nèi)部CORE103電路之間，直接由金屬連接，節(jié)省了傳統(tǒng)電路中二級保護電路，可最大程度上降低寄生電阻，滿足高性能模擬信號應(yīng)用要求。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司，未經(jīng)北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310637009.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：聚合物太陽能電池及其制備方法
- 下一篇：一種凍瘡膏
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
