[發明專利]半導體激光元件

有效

• 申請號: 201310636851.0
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN103855604B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 三好隆
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01S5/323
• 分類號: H01S5/323
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

本發明提供一種半導體激光元件，能夠在使用了由氮化物半導體構成的基板的半導體激光元件中良好地限制光來降低FFP的脈動。半導體激光元件在由GaN構成的基板之上具有由氮化物半導體構成且折射率高于基板的發光層，在基板與發光層之間從基板的一側起依次具有：由AlGaN構成的第一氮化物半導體層；由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成的第二氮化物半導體層；由InGaN構成的第三氮化物半導體層；和由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成、且膜厚大于第二氮化物半導體層的第四氮化物半導體層。

技術領域

本發明涉及半導體激光元件。

背景技術

在基板之上層疊了氮化物半導體層的半導體激光元件中，通過利用折射率小于活性層的層來夾著活性層，由此限制光（例如專利文獻1以及2）。

專利文獻1：JP特開2003－060314號公報

專利文獻2：JP特開2007－214557號公報

在這樣的使用了由氮化物半導體構成的基板的半導體激光元件中，要求FFP（farfield pattern：遠場圖）的脈動的進一步降低。這樣的脈動因基板中的光的泄漏而引起，為了降低脈動，只要降低在基板中漏掉的光即可。

發明內容

本發明的實施方式的半導體激光元件，

在由GaN構成的基板之上具有由氮化物半導體構成且折射率高于基板的發光層，

在基板與發光層之間，從基板的一側起依次具有：

由AlGaN構成的第一氮化物半導體層；

由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成的第二氮化物半導體層；

由InGaN構成的第三氮化物半導體層；和

由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成、且膜厚大于第二氮化物半導體層的第四氮化物半導體層。

此外，本發明的另一實施方式的半導體激光元件，

在由AlGaN構成的基板之上具有由氮化物半導體構成且折射率高于基板的發光層，

在基板與發光層之間，從基板的一側起依次具有：

由AlGaN構成的第一氮化物半導體層；

由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成的第二氮化物半導體層；

由InGaN構成的第三氮化物半導體層；和

由Al組成比大于第一氮化物半導體層的AlGaN構成、且膜厚大于第二氮化物半導體層的第四氮化物半導體層。

根據本發明，在使用了由氮化物半導體構成的基板的半導體激光元件中，能夠良好地限制光，來降低FFP的脈動。

附圖說明

圖1是說明本發明的一實施方式的示意性截面圖。

圖2是表示第一～第四氮化物半導體層的折射率的示意圖。

圖3是說明本發明的一實施方式中的變形例的示意性截面圖。

圖4是表示實施例1的半導體激光元件的折射率和電場強度之間的模擬結果的圖表。

圖5是表示比較例1的半導體激光元件的折射率和電場強度之間的模擬結果的圖表。

圖6是表示實施例1以及比較例1的半導體激光元件的折射率和電場強度之間的模擬結果的圖表。

圖7是表示實施例1的半導體激光元件的垂直方向FFP⊥的圖表。