[發明專利]半導體激光元件有效
| 申請號： | 201310636851.0 | 申請日： | 2013-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN103855604B | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 三好隆 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/323 | 分類號： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 元件 | ||
1.一種半導體激光元件，使峰值波長為480nm～550nm的激光進行振蕩，且在由GaN構成的基板之上具有由氮化物半導體構成且折射率高于所述基板的發光層，所述半導體激光元件的特征在于，
在所述基板與所述發光層之間，從所述基板的一側起依次具有：
由AlGaN構成的第一氮化物半導體層；
由Al組成比大于所述第一氮化物半導體層的AlGaN構成的第二氮化物半導體層；
由InGaN構成，膜厚為100nm以上的第三氮化物半導體層；和
由Al組成比大于所述第一氮化物半導體層的AlGaN構成、且膜厚大于所述第二氮化物半導體層的第四氮化物半導體層。
2.根據權利要求1所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的膜厚為100nm以上。
3.根據權利要求1所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚為100nm以上。
4.根據權利要求1所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚大于所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的膜厚。
5.根據權利要求1所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚大于所述第二氮化物半導體層和所述第四氮化物半導體層的合計膜厚。
6.根據權利要求1所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述發光層為阱層，所述半導體激光元件還具有夾著所述阱層的勢壘層，
所述第一氮化物半導體層、所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的折射率低于所述勢壘層的折射率。
7.一種半導體激光元件，使峰值波長為480nm～550nm的激光進行振蕩，且在由AlGaN構成的基板之上具有由氮化物半導體構成且折射率高于所述基板的發光層，所述半導體激光元件的特征在于，
在所述基板與所述發光層之間，從所述基板的一側起依次具有：
由Al組成比大于所述基板的AlGaN構成的第一氮化物半導體層；
由Al組成比大于所述第一氮化物半導體層的AlGaN構成的第二氮化物半導體層；
由InGaN構成，膜厚為100nm以上的第三氮化物半導體層；和
由Al組成比大于所述第一氮化物半導體層的AlGaN構成、且膜厚大于所述第二氮化物半導體層的第四氮化物半導體層。
8.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的膜厚為100nm以上。
9.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚為100nm以上。
10.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚大于所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的膜厚。
11.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述第一氮化物半導體層的膜厚大于所述第二氮化物半導體層和所述第四氮化物半導體層的合計膜厚。
12.根據權利要求7所述的半導體激光元件，其特征在于，
所述發光層為阱層，所述半導體激光元件還具有夾著所述阱層的勢壘層，
所述第一氮化物半導體層、所述第二氮化物半導體層以及所述第四氮化物半導體層的折射率低于所述勢壘層的折射率。
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