[發(fā)明專利]一種雙模靜電放電保護I/O電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310636544.2 | 申請日： | 2013-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103646944B | 公開（公告）日： | 2017-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李志國;孫磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京中電華大電子設(shè)計有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H05F3/00;H03K19/003 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平區(qū)北七家未*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 雙模 靜電 放電 保護 電路 | ||
1.一種雙模靜電放電保護I／O電路，其特征在于，該電路包含一級保護電路，二級保護電路，其中：
一級保護電路包括I／O?PAD與電源VDD之間的P型ESD器件101，I／O?PAD至地GND之間的N型ESD器件102，提供I／O-VDD和I／O-GND之間的大電流放電能力；
二級保護電路包括由輸入電阻103和NMOS105構(gòu)成的對GND的保護箝位電路1以及輸入電阻104和PMOS106構(gòu)成的對VDD的保護箝位電路2，通過NMOS105將內(nèi)核電路中的NMOS箝位至安全水平，通過輸入電阻103對NMOS105進行限流保護，避免NMOS105被大電流擊穿；PMOS106將內(nèi)核電路中的PMOS箝位至安全水平，通過輸入電阻104對PMOS106進行限流保護，避免PMOS106被大電流擊穿。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于P型ESD器件101由PMOS管或者P型二極管構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于在HBM靜電放電和E-Gun模型靜電放電情況下，大電流將主要通過101和102形成放電通道，將I／O上的靜電荷轉(zhuǎn)移到VDD或者GND上，從而安全釋放。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于針對I／O、VDD、GND三端，在保證釋放大電流能力的情況下，無論任何兩點之間出現(xiàn)靜電放電引起的大電壓差時，都可以提供對內(nèi)核電路的箝位保護，對內(nèi)核電路進行ESD保護。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于當VDD與GND之間出現(xiàn)較大電壓差時，輸入電阻104可以對NMOS105和PMOS106進行限流保護，避免了NMOS105和PMOS106擊穿失效。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
