[發明專利]通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片

有效

• 申請號: 201310631573.X
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103713347A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 王繼平;呂晶;余初旺
• 申請（專利權）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B1/00;G01J5/08
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術領域

本發明涉及紅外濾光片領域，尤其是一種通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片。?

背景技術

紅外測溫儀由光學系統、探測器、信號放大器及信號處理、顯示輸出等部分組成。光學系統匯聚其視場內的目標紅外能量(熱量)，視場的大小由測溫儀的光學零件及其位置確定。紅外能量聚焦在探測器上并轉變為相應的電信號。該信號經過放大器和信號處理電路，并按照儀器內的算法和目標發射率校正后轉變為被測目標的溫度值。?

紅外測溫儀的探測器是實現紅外能量(熱能)轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量，保證紅外測溫儀的測溫結果，用于測溫和成像。?

但是，目前的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發展的需要。?

發明內容

本發明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片。?

為了達到上述目的，本發明所設計的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有：411nm厚度的Ge層、271nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、187nm厚度的Ge層、346nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、194nm厚度的Ge層、293nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、289nm厚度的ZnS層、261nm厚度的Ge層、391nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、231nm厚度的ZnS層、?302nm厚度的Ge層、404nm厚度的ZnS層、353nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、259nm厚度的Ge層、310nm厚度的ZnS層、382nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、373nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、276nm厚度的Ge層、331nm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的ZnS層、281nm厚度的Ge層、751nm厚度的ZnS層、366nm厚度的Ge層、462nm厚度的ZnS層、439nm厚度的Ge層、806nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、963nm厚度的ZnS層、427nm厚度的Ge層、311nm厚度的ZnS層、410nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、546nm厚度的Ge層和358nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有：145nm厚度的Ge層、290nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、1953nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、607nm厚度的Ge層、2262nm厚度的ZnS層、982nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、1257nm厚度的Ge層、1587nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、558nm厚度的ZnS層、292nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、2315nm厚度的ZnS層、897nm厚度的Ge層、195nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、590nm厚度的ZnS層、1263nm厚度的Ge層、1976nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、298nm厚度的ZnS層、477nm厚度的Ge層和1175nm厚度的ZnS層。?

上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。?

本發明所得到的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片50%Cut?on＝7550±200nm，50%Cutoff＝13900±400nm；7750～13400nm?Tavg≥85%；2000～7000nm、14500～19000nmTavg≤1%。?

附圖說明

圖1是實施例整體結構示意圖；?