[發(fā)明專利]通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310631573.X
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103713347A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王繼平;呂晶;余初旺
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B1/00;G01J5/08
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

1.一種通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是：所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：411nm厚度的Ge層、271nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、187nm厚度的Ge層、346nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、194nm厚度的Ge層、293nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、289nm厚度的ZnS層、261nm厚度的Ge層、391nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、231nm厚度的ZnS層、302nm厚度的Ge層、404nm厚度的ZnS層、353nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、259nm厚度的Ge層、310nm厚度的ZnS層、382nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、373nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、276nm厚度的Ge層、331nm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的ZnS層、281nm厚度的Ge層、751nm厚度的ZnS層、366nm厚度的Ge層、462nm厚度的ZnS層、439nm厚度的Ge層、806nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、963nm厚度的ZnS層、427nm厚度的Ge層、311nm厚度的ZnS層、410nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、546nm厚度的Ge層和358nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：145nm厚度的Ge層、290nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、1953nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、607nm厚度的Ge層、2262nm厚度的ZnS層、982nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、1257nm厚度的Ge層、1587nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、558nm厚度的ZnS層、292nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、2315nm厚度的ZnS層、897nm厚度的Ge層、195nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、590nm厚度的ZnS層、1263nm厚度的Ge層、1976nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、298nm厚度的ZnS層、477nm厚度的Ge層和1175nm厚度的ZnS層。