[發(fā)明專利]中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310631445.5
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN103713344A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂晶;王繼平;劉晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/20
• 分類號(hào): G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片領(lǐng)域，尤其是中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片。?

背景技術(shù)

在自然界，任何物體在絕對(duì)零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。帶通紅外濾光片過濾、截止可見光同時(shí)允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測(cè)出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。帶通紅外濾光片的質(zhì)量直接影響探測(cè)的精度和靈敏度。目前的NO紅外光學(xué)分析儀器應(yīng)用廣泛，檢測(cè)氣體含量具體有實(shí)時(shí)、連續(xù)和可靠的特點(diǎn)，但是目標(biāo)氣體中通過NO含量低，紅外特征吸收峰值較弱，檢測(cè)困難，因此目前國(guó)內(nèi)較多采用化學(xué)法和薄膜熱敏探測(cè)法，存在檢測(cè)器壽命短或成本高等問題，因此既要降低成本，又要提高探測(cè)精度在NO紅外光學(xué)分析儀器中已經(jīng)相當(dāng)重要。就目前用于NO探測(cè)中的濾光片，檢測(cè)精度不高、透過率和信噪比低，精度差，有時(shí)候出現(xiàn)誤測(cè)的現(xiàn)象，不能滿足市場(chǎng)發(fā)展的需要。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片。?

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO?層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。?

上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在10nm左右。?

本發(fā)明所得到的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，其中心波長(zhǎng)4580±40nm，其在航空尾氣氣體檢測(cè)過程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度。該濾光片的峰值透過率Tp≥80％、帶寬=140±20nm，400～12000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。?

附圖說明

圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測(cè)曲線圖。?

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。?

實(shí)施例1：?

如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的中心波長(zhǎng)4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測(cè)濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板2，以Ge、SiO為第一鍍膜層1和以Ge、SiO為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層1和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有：65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm?厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有：279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。?