[發(fā)明專利]中心波長4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測濾光片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310631445.5
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN103713344A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂晶;王繼平;劉晶
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/20
• 分類號(hào): G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

1.一種中心波長4580nm的一氧化氮?dú)怏w檢測濾光片，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是：所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：65nm厚度的Ge層、216nm厚度的SiO層、139nm厚度的Ge層、292nm厚度的SiO層、81nm厚度的Ge層、300nm厚度的SiO層、145nm厚度的Ge層、114nm厚度的SiO層、134nm厚度的Ge層、454nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、220nm厚度的SiO層、208nm厚度的Ge層、198nm厚度的SiO層、113nm厚度的Ge層、567nm厚度的SiO層、206nm厚度的Ge層、248nm厚度的SiO層、222nm厚度的Ge層、452nm厚度的SiO層、256nm厚度的Ge層、282nm厚度的SiO層、119nm厚度的Ge層、635nm厚度的SiO層、293nm厚度的Ge層、1264nm厚度的SiO層、273nm厚度的Ge層、1109nm厚度的SiO層、414nm厚度的Ge層和526nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、1292nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、646nm厚度的SiO層、279nm厚度的Ge層、2583nm厚度的SiO層、409nm厚度的Ge層、400nm厚度的SiO層、155nm厚度的Ge層和1096nm厚度的SiO層。