[發明專利]凸點式封裝及其形成方法

在審

• 申請號: 201310631177.7
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103779303A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: K·C·吳;T·H·林;M-T·王
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/07;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;徐紅燕

技術領域

本發明一般涉及半導體封裝，以及更特別地涉及凸點式封裝及其形成方法。

背景技術

半導體器件被用于多種電子設備及其他應用中。半導體器件可包括在半導體晶片上形成的集成電路。替代地，半導體器件可被形成為單片器件，例如，分立器件。通過在半導體晶片上沉積多種類型的材料的薄膜、對材料的薄膜進行圖案化、對半導體晶片的選擇性區域進行摻雜等等，來在半導體晶片上形成半導體器件。

在傳統的半導體制造過程中，大量半導體器件在單個晶片中被制造。在器件級和互連級制造過程完成后，晶片上的半導體器件被分離。例如，晶片可經歷分割(singulation)。在分割期間，晶片被機械和／或化學處理，并且半導體器件被物理分離，以形成各個管芯。各個管芯隨后根據封裝規格而被封裝。封裝設計的示例包括薄的小型無引線封裝、嵌入式晶片級球柵陣列封裝、以及其他。

發明內容

通過本發明的說明性實施例，通常解決或規避了這些以及其他問題，以及通常實現了技術優點。

根據本發明的實施例，半導體封裝包括在主表面上具有接觸墊的半導體芯片，置于所述接觸墊上的凸點，以及置于所述凸點的側壁上的焊料層。

根據本發明的替代實施例，半導體器件包括具有在第一主表面上的第一接觸墊和在第二主表面上的第二接觸墊的半導體芯片，置于所述第一接觸墊上的磁性凸點，以及置于所述第二接觸墊上的非磁性的凸點。

根據本發明的實施例，一種形成半導體封裝的方法包括：在襯底中形成多個芯片。所述襯底具有第一主表面上的多個第一接觸部和第二主表面上的多個第二接觸部。提供包括多個凸點的凸點框架。所述凸點框架被附著到所述襯底的第一主表面。所述襯底被分割以形成各個單元。

附圖說明

為了更完整地理解本發明及其優點，現在對結合附圖進行的以下描述做出參考，在附圖中：

圖1包括圖1A-1C，圖示出了根據本發明的實施例的半導體封裝，其中，圖1A圖示了橫截面視圖，以及圖1B和圖1C圖示了頂部截面圖；

圖2包括圖2A-2D，圖示出了根據本發明的實施例的第一凸點框架的形成；

圖3包括圖3A-3D，圖示出了根據本發明的實施例的第二凸點框架的形成；

圖4圖示出了根據本發明的實施例的制造之后的半導體器件；

圖5圖示出了根據本發明的實施例的在半導體封裝的制造期間的定位過程；

圖6圖示出了根據本發明的實施例的將凸點附著到襯底期間半導體封裝的橫截面視圖；

圖7圖示出了根據本發明的實施例的將帶層從凸點框架移除后的半導體封裝的橫截面視圖；

圖8圖示出了根據本發明的實施例的分割之后的半導體封裝的橫截面視圖；

圖9圖示出了根據本發明的實施例在帶和卷軸上封裝的多個半導體芯片；

圖10圖示出了根據本發明的替代實施例的在形成包括多個芯片的重構晶片后的半導體器件的橫截面視圖；

圖11圖示出了根據本發明的替代實施例的在將第一凸點框架和第二凸點框架附著到重構晶片后的半導體器件的橫截面視圖；

圖12圖示出了根據本發明的替代實施例的將具有凸點框架的重構晶片切割后的半導體器件的橫截面視圖；

圖13圖示出了根據本發明的另外的替代實施例的半導體封裝，其中凸點未完全覆蓋重分配層；

圖14圖示出了另外的替代實施例，其中，每個半導體封裝包括嵌入在絕緣材料中的單個芯片；以及

圖15圖示出了另外的替代實施例，其中，凸點包括多個凹槽，以改善焊點(solder?joint)區域。

除非另有指示，否則不同附圖中對應的數字和符號一般指代對應的部件。附圖被繪制成清楚地圖示實施例的相關方面，并且不一定按比例繪制。

具體實施例

下面詳細討論各種實施例的制造和使用。然而，應當理解的是，本發明提供了多種可適用的發明性概念，其可被體現在廣泛的具體情境中。所討論的具體實施例僅是對制造和使用本發明的具體方式的說明，而并不限制本發明的范圍。

將使用圖1來描述本發明的結構實施例。另外的結構實施例將通過使用圖12-15進行描述。一種形成半導體器件的方法將通過使用圖2-9進行描述。形成半導體器件的替代實施例將通過使用圖10-12、13、14和15進行描述。

圖1包括圖1A-1C，圖示出了根據本發明的實施例的半導體封裝。圖1A圖示了橫截面視圖，以及圖1B和圖1C圖示了頂部截面圖。