[發明專利]凸點式封裝及其形成方法

在審

• 申請號: 201310631177.7
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103779303A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: K·C·吳;T·H·林;M-T·王
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/07;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;徐紅燕

1.一種半導體封裝，包括：

第一半導體芯片，具有第一主表面上的第一接觸墊；

第一凸點，被置于所述第一接觸墊上；以及

第一焊料層，被置于所述第一凸點的側壁上。

2.如權利要求1所述的封裝，其中，所述第一焊料層被置于所述第一凸點的所有四個側壁和頂表面上。

3.如權利要求1所述的封裝，其中，所述第一凸點包括鐵磁材料。

4.如權利要求3所述的封裝，其中，所述鐵磁材料包括鎳、鈷、鉻和／或鐵。

5.如權利要求1所述的封裝，其中，所述第一焊料層包括金、銀、鉑、錫、鎳、錫鉛、和／或鋅合金。

6.如權利要求1所述的封裝，其中，所述第一半導體芯片包括分立的垂直晶體管。

7.如權利要求1所述的封裝，進一步包括置于所述第一半導體芯片周圍的密封劑。

8.如權利要求1所述的封裝，進一步包括：

第二凸點，置于所述第一半導體芯片的第二接觸墊上，所述第二接觸墊被置于與所述第一主表面相對的第二主表面上，以及

第二焊料層，被置于所述第二凸點的側壁上。

9.如權利要求8所述的封裝，其中，所述第一焊料層被置于所述第一凸點的所有四個側壁和頂表面上，以及其中，所述第二焊料層被置于所述第二凸點的所有四個側壁和頂表面上。

10.如權利要求8所述的封裝，其中，所述第二凸點是與所述第一凸點不同的材料。

11.如權利要求8所述的封裝，其中，所述第一凸點包括鐵磁材料，并且其中，所述第二凸點包括非磁性材料。

12.如權利要求11所述的封裝，其中，所述非磁性材料包括銅、銀和／或金。

13.如權利要求8所述的封裝，進一步包括：

密封劑，被置于所述第一半導體芯片周圍；以及

第二半導體芯片，其緊接所述第一半導體芯片被置于所述密封劑中，其中所述第二半導體芯片包括所述第一主表面上的第三接觸墊和所述第二主表面上的第四接觸墊。

14.如權利要求13所述的封裝，進一步包括：

第三凸點，被置于所述第三接觸墊上；

第三焊料層，被置于所述第三凸點的側壁上；

第四凸點，被置于所述第四接觸墊上；以及

第四焊料層，被置于所述第四凸點的側壁上。

15.如權利要求14所述的封裝，其中，所述第三焊料層被置于所述第三凸點的所有四個側壁和頂表面上，以及其中，所述第四焊料層被置于所述第四凸點的所有四個側壁和頂表面上。

16.一種半導體器件，包括：

半導體芯片，具有第一主表面上的第一接觸墊和第二主表面上的第二觸墊；

磁性凸點，被置于所述第一接觸墊上；以及

非磁性凸點，被置于所述第二接觸墊上。

17.如權利要求16所述的器件，進一步包括：

第一焊料層，被置于所述磁性凸點的側壁上；

第二焊料層，被置于所述非磁性凸點的側壁上。

18.如權利要求17所述的器件，其中，所述第一焊料層被置于所述磁性凸點的所有四個側壁和頂表面上。

19.如權利要求18所述的器件，其中，所述第二焊料層被置于所述非磁性凸點的所有四個側壁和頂表面上。

20.如權利要求16所述的器件，其中，所述磁性凸點包括鎳、鈷、鉻和／或鐵，以及其中所述非磁性凸點包括銅、銀和／或金。

21.一種形成半導體封裝的方法，所述方法包括：

在襯底中形成多個芯片，所述襯底具有第一主表面上的多個第一接觸部，以及第二主表面上的多個第二接觸部；

提供包括多個第一凸點的第一凸點框架；

將所述第一凸點框架與所述襯底的第一主表面附著；以及

分割所述襯底以形成各個單元。

22.如權利要求21所述的方法，進一步包括：

提供包括多個第二凸點的第二凸點框架；以及

將所述第二凸點框架與所述襯底的所述第二主表面附著。