[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310629778.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN103855136A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村卓矢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L27/146;H01L23/488;H01L23/367
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2012年12月6日提交的日本在先專利申請(qǐng)第JP2012-267398號(hào)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備和一種電子設(shè)備，并且具體，涉及一種能夠減少圖像的噪聲并能以高速執(zhí)行算術(shù)處理的小尺寸改善的半導(dǎo)體設(shè)備以及一種包括該小尺寸改善的半導(dǎo)體設(shè)備的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

對(duì)于包括圖像傳感器芯片的半導(dǎo)體封裝，在過去已經(jīng)應(yīng)用了針對(duì)由于在圖像傳感器芯片的光接收區(qū)中不必要光的泄漏而造成的雜散光的防范措施。

尤其是，因?yàn)槿菀追瓷涔獾慕饘偻ǔＳ糜谶B接圖像傳感器芯片和封裝基板的接合線，所以需要對(duì)接合線應(yīng)用對(duì)雜散光的防范措施。因此，為了防止由接合線反射的光泄露進(jìn)圖像傳感器芯片的光接收區(qū)中，在過去已經(jīng)提供給防閃光板。

此外，近幾年，隨著電子設(shè)備的尺寸減小和性能的改善，包括圖像傳感器芯片的半導(dǎo)體封裝期望具有更高的性能。例如，需要能夠以比現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝更快的速度執(zhí)行算術(shù)處理的半導(dǎo)體封裝。

另一方面，近幾年，已經(jīng)進(jìn)行了半導(dǎo)體芯片工藝的改良，并且已經(jīng)廣泛使用由能夠增加每單位面積的將被集成的晶體管的數(shù)量的新一代工藝制造的半導(dǎo)體芯片（稱為新一代半導(dǎo)體芯片）。

通過利用該新一代半導(dǎo)體芯片，可以將算術(shù)處理的速度提高至比現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片的算術(shù)處理的速度更高并且減少功耗。因此，已經(jīng)產(chǎn)生了包括新一代的半導(dǎo)體芯片作為外圍電路單元的半導(dǎo)體封裝，該外圍電路單元在過去已經(jīng)被結(jié)合在圖像傳感器芯片中。

然而，因?yàn)橐愿咚賵?zhí)行算術(shù)處理的新一代半導(dǎo)體芯片具有高發(fā)熱量，所以需要對(duì)新一代半導(dǎo)體芯片應(yīng)用針對(duì)散熱的防范措施。

例如，已經(jīng)提出一種通過提供將半導(dǎo)體芯片和封裝基板熱耦接在一起的熱傳導(dǎo)構(gòu)件來將從半導(dǎo)體芯片生成的熱量轉(zhuǎn)移至封裝基板的技術(shù)（參見，例如：日本專利申請(qǐng)公開第2012-124305號(hào)）。

發(fā)明內(nèi)容

然而，在包括新一代半導(dǎo)體芯片作為外圍電路單元的半導(dǎo)體封裝中，由作為外圍電路單元的新一代半導(dǎo)體芯片反射的光有時(shí)泄露進(jìn)圖像傳感器芯片的光接收區(qū)中。

在現(xiàn)有技術(shù)中，并未應(yīng)用針對(duì)根據(jù)用作外圍電路單元的該新一代半導(dǎo)體芯片的雜散光的充分的防范措施，因此有時(shí)由于雜散光而生成重影。

考慮到上述情況，已經(jīng)提出本公開，期望提供包括小尺寸改善的圖象傳感器的半導(dǎo)體設(shè)備，其能夠減少圖像的噪聲并能以高速執(zhí)行算術(shù)處理。

根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式，提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：第一半導(dǎo)體芯片，其上形成有光電轉(zhuǎn)換單元，該光電轉(zhuǎn)換被配置為對(duì)在光接收區(qū)中所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換；第二半導(dǎo)體芯片，電連接至第一半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片的光接收區(qū)一側(cè)上的表面上；以及防閃光板，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體芯片上，所述防閃光板被配置為阻擋光，所述防閃光板與第二半導(dǎo)體芯片接觸。

防閃光板的在光接收區(qū)的一側(cè)上的端部可以被設(shè)置為使得從第二半導(dǎo)體芯片的在光接收區(qū)一側(cè)上的端部突出至少200μm。

防閃光板的在光接收區(qū)一側(cè)上的端部可向下傾斜地彎曲。

防閃光板的在光接收區(qū)一側(cè)上的端部可向下以直角彎曲。

散熱樹脂和用于散熱的導(dǎo)體中的一個(gè)的膜可形成在防閃光板的在防閃光板與第二半導(dǎo)體芯片接觸的一側(cè)上的表面上。

根據(jù)本公開的第二實(shí)施方式，提供了一種電子設(shè)備，包括：半導(dǎo)體設(shè)備，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：第一半導(dǎo)體芯片，其上形成有光電轉(zhuǎn)換單元，該光電轉(zhuǎn)換被配置為對(duì)在光接收區(qū)中在所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換；第二半導(dǎo)體芯片，電連接至第一半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片被設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片的在光接收區(qū)一側(cè)上的表面上；以及防閃光板，設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片上，所述防閃光板被配置為阻擋光，所述防閃光板與第二半導(dǎo)體芯片接觸。

在本公開的第一和第二實(shí)施方式中，在設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片的光接收區(qū)一側(cè)上的表面上的第二半導(dǎo)體芯片上，設(shè)置被配置為阻擋光的防閃光板，并且防閃光板與第二半導(dǎo)體芯片接觸，該第二半導(dǎo)體芯片電連接至第一半導(dǎo)體芯片，在所述第一半導(dǎo)體芯片上形成被配置為對(duì)在光接收區(qū)中所接收的光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換單元。

根據(jù)本公開，可以提供一種包括小尺寸改善的圖象傳感器的半導(dǎo)體設(shè)備，其能夠減少圖像的噪聲并能以高速執(zhí)行算術(shù)處理。

如附圖所示，根據(jù)以下本公開的最佳模式的實(shí)施方式的詳細(xì)說明，本公開的這些以及其他的目標(biāo)、特征與優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。

附圖說明

圖1是示出了根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體設(shè)備的配置實(shí)例的截面圖；