[發明專利]一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法

在審

• 申請號: 201310629742.6
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN104681660A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 譚秀航
• 申請（專利權）人: 青島事百嘉電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/505;C23C16/24
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明提供了一種太陽能電池的制備方法，特別是一種太陽能電池的RF—PECVD制備方法。

背景技術

太陽能可以說是“取之不盡，用之不竭”的能源，與煤、石油及核能相比，它具有獨特的優點：一是不污染環境；二是沒有地域和資源的限制；三是能源沒有限制。因此，太陽能的有效利用己經成為人類的共識。目前，在太陽能光伏應用中，硅基太陽能電池的研究和開發得到了廣泛的重視，占領了90%的光伏市場，是當今光伏市場的主流。但單晶硅太陽能電池制備工藝復雜，制各過程中需要消耗大量的材料，因此，受限制于單晶硅的材料價格及繁瑣的電池工藝，單晶硅太陽能電池的成本價格居高不下，難以大幅度降低。

為了克服上述問題，本發明采用RF—PECVD方法制備了一種微晶硅太陽能電池，同非晶硅電池相比，微晶硅電池在應用中幾乎不受后氧化的影響，而且微晶硅的光譜吸收特性與非晶硅有一定的互補性，應用于疊層電池中可以獲得更高的效率。

發明內容

本發明的目的就是針對現有技術存在的缺陷，提供一種太陽能電池的制備方法。

其技術方案是：P層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度?(SiH₄/(SIH₄+HZ))為l%，硼烷摻雜濃度為1%，襯底溫度250℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量100sccm。I層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度3%，襯底溫度300℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量50sccm；N層非晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度8%，磷烷濃度l.5%，襯底溫度200℃，射頻功率25W，沉積氣壓90Pa，氣體總流量?12.5sccm。其特征是：電池是在三室連續的射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF—PECVD)系統中制備而成。

本發明的特點是同非晶硅電池相比，微晶硅電池在應用中幾乎不受后氧化的影響，而且微晶硅的光譜吸收特性與非晶硅有一定的互補性，應用于疊層電池中可以獲得更高的效率。

具體實施方式

電池是在三室連續的射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF—PECVD)系統中制備而成。P層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度?(SiH₄/(SIH₄+HZ))為l%，硼烷摻雜濃度為1%，襯底溫度250℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量100sccm，將P型窗口層厚度定在大概20nm左右；I層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度3%，襯底溫度300℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量50sccm，I層的厚度在1μm以上；N層非晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度8%，磷烷濃度l.5%，襯底溫度200℃，射頻功率25W，沉積氣壓90Pa，氣體總流量?12.5sccm，N層厚度為60nm左右。

另外，本發明創造不意味著說明書所局限，在沒有脫離設計宗旨的前提下可以有所變化。