[發明專利]一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法

在審

• 申請號: 201310629742.6
• 申請日: 2013-12-02
• 公開（公告）號: CN104681660A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 譚秀航
• 申請（專利權）人: 青島事百嘉電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/505;C23C16/24
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法，其特征是：電池是在三室連續的射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF—PECVD)系統中制備而成的。

2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法，其特征是：P層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度?(SiH₄/(SIH₄+HZ))為l%，硼烷摻雜濃度為1%，襯底溫度250℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量100sccm。

3.根據權利要求1所述的一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法，其特征是：I層微晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度3%，襯底溫度300℃，射頻功率35W，沉積氣壓133Pa，氣體總流量50sccm。

4.根據權利要求1所述的一種太陽能電池的RF-PECVD制備方法，其特征是：N層非晶硅薄膜沉積工藝：硅烷濃度8%，磷烷濃度l.5%，襯底溫度200℃，射頻功率25W，沉積氣壓90Pa，氣體總流量?12.5sccm。