[發明專利]液晶顯示裝置以及TFT陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201310628272.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103941489B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 梁艷峰
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置。

背景技術

目前液晶顯示裝置技術領域內，采用橫向電場方式主要有IPS（In?Plane?Switching，橫向電場轉換）液晶顯示器及FFS（Fringe?Field?Switch，邊緣電場轉換）液晶顯示器。在FFS液晶顯示器中，包括上部電極層和下部電極層通過絕緣層相互絕緣，將下部電極層作為公共電極層，上部電極層作為像素電極層，并在上部電極層上形成例如狹縫等，以此作為電場流通的開口。通常，在彩膜基板和TFT陣列基板之間會設置支撐柱，支撐柱一般是設置在彩膜基板一側并與TFT陣列基板一側的薄膜晶體管TFT（thin?film?transistor）相抵觸，另外的彩膜基板和TFT陣列基板的表面有設有摩擦層，使得液晶具有一定的取向。

目前由于液晶顯示器的輕薄化要求，一般會對FFS液晶顯示器進行輕薄化的工藝改進，但是FFS液晶顯示器在輕薄化處理后為了改善其液晶顯示器表面的凹凸點，一般對其表面需要進行拋光處理。

如圖1和圖2所示，由于傳統的TFT陣列基板01結構中，位于TFT03頂部的是絕緣層4，由于絕緣層4與摩擦層2（圖2中未示出）的附著性較差。當在進行在拋光處理過程中，如圖1所示，但是由于在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板01和彩膜基板02之間的支撐柱5會對TFT03（圖1中未示出）有位移，造成支撐柱5與TFT03之間存在來回的摩擦。由于這種摩擦會使得位于TFT陣列基板01的表面摩擦層2會產生碎屑3，由于摩擦層的碎屑3會在分散到液晶顯示器中的有效顯示區域AA。當液晶顯示器工作時，這種位于有效顯示區域的碎屑，會表現為顯示上的碎亮點，嚴重影響顯示畫面的質量。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置。

根據本發明的一個示范性的實施例，提供一種TFT陣列基板，包括：一基板；

位于所述基板上的柵極層；位于所述柵極層上的第一絕緣層；位于所述第一絕緣層上的有源層；

位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜；

位于所述第一導電膜上且覆蓋整個基板范圍的第三絕緣層；位于所述第三絕緣層上的第二導電膜；

其中，所述第三絕緣層和所述第二導電膜具有暴露出所述第一導電膜的開口。

根據本發明的一個示范性的實施例，提供一種液晶顯示器，包括上述的TFT陣列基板、與所述TFT陣列基板的相對設置的彩膜基板，以及位于兩者之間的介質層。

根據本發明的一個示范性的實施例，提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括：

步驟S1：提供一基板，在所述基板上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層、有源層；

步驟S2：依次連續沉積形成金屬層、第二絕緣層、第一導電膜層；

步驟S3：對所述金屬層、第二絕緣層和第一導電膜層進行連續刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜并在所述依次層疊的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜中形成暴露出所述有源層的溝槽；

步驟S4：沉積第三絕緣層，圖案化所述第三絕緣層形成暴露出所述第一導電膜的開口；

步驟S5：在所述第三絕緣層上形成圖案化的第二導電膜，并具有暴露出所述第一導電膜的開口。

由經上述的技術方案，與現有技術相比，本發明公開了一種TFT陣列基板及制作方法和液晶顯示裝置，該TFT陣列基板中由于第一導電膜（通常為氧化銦錫）是位于TFT頂部的，當在TFT陣列基板表面涂布摩擦層后，第一導電膜與摩擦層的附著性比較好。當該TFT陣列基板被組裝成液晶顯示器時，需要進行拋光處理。在拋光處理過程中，位于TFT陣列基板和彩膜基板之間存在來回的摩擦，不會使得表面摩擦層會產生碎屑，從而產生碎亮點現象，影響顯示畫面。相對于傳統的TFT陣列基板結構解決了碎亮點的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中公開的拋光處理中陣列基板上的摩擦層產生碎屑的示意圖；

圖2為現有技術中公開的一種TFT陣列基板的示意圖；

圖3為本發明實施例一中公開的TFT陣列基板的示意圖；