[發明專利]液晶顯示裝置以及TFT陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201310628272.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103941489B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 梁艷峰
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種TFT陣列基板，包括：一基板；

位于所述基板上的柵極層；

位于所述柵極層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的有源層；

位于所述有源層上的依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜；

位于所述第一導電膜上且覆蓋整個基板范圍的第三絕緣層；

位于所述第三絕緣層上的第二導電膜；

其中，所述第三絕緣層和所述第二導電膜具有暴露出所述第一導電膜的開口。

2.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述依次層疊，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層和第一導電膜中具有暴露出所述有源層的一溝槽，所述溝槽被所述第三絕緣層填充。

3.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括：

位于所述柵極層包括柵極和掃描線；

位于所述源漏極層包括源極、漏極和數據線。

4.如權利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導電膜為公共電極，所述TFT陣列基板還包括：

位于第一絕緣層與所述源漏極層之間的像素電極，所述像素電極與所述源漏極層之間電連接。

5.如權利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導電膜為公共電極，所述TFT陣列基板還包括：

位于所述第二導電膜上的第四絕緣層；

以及，位于所述第四絕緣層之上的像素電極。

6.如權利要3所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導電膜為像素電極，所述像素電極與所述源漏極層之間電連接；所述TFT陣列基板還包括：

位于所述第二導電膜上的第四絕緣層；

以及，位于所述第四絕緣層之上的公共電極。

7.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導電膜為透明導電材料。

8.如權利要7所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述透明導電材料為氧化銦錫。

9.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二導電膜為透明導電材料。

10.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括摩擦層，覆蓋所述第二導電膜，第三絕緣層和開口中的第一導電膜。

11.如權利要1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一導電膜懸浮設置。

12.一種液晶顯示裝置，包括如權利要求1-11任一所述的TFT陣列基板、與所述TFT陣列基板的相對設置的彩膜基板，以及位于兩者之間的介質層。

13.如權利要12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所示液晶顯示裝置還包括設置于所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間的支撐柱，所述支撐住與所述開口中的第一導電膜正對設置。

14.一種TFT陣列基板的制作方法，包括：

步驟S1：提供一基板，在所述基板上形成依次層疊的柵極層、第一絕緣層、有源層；

步驟S2：依次連續沉積形成金屬層、第二絕緣層、第一導電膜層；

步驟S3：對所述金屬層、第二絕緣層和第一導電膜層進行連續刻蝕，形成依次層疊的，且形狀一致的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜并在所述依次層疊的源漏極層、第二絕緣層、第一導電膜中形成暴露出所述有源層的溝槽；

步驟S4：沉積第三絕緣層，圖案化所述第三絕緣層形成暴露出所述第一導電膜的開口；

步驟S5：在所述第三絕緣層上形成圖案化的第二導電膜，并具有暴露出所述第一導電膜的開口。

15.如權利要求11所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于：所述步驟S3具體還包括：

通過半掩膜板法，通過對所述金屬層、第二絕緣層和第一導電膜層進行連續刻蝕，形成位于所述第一絕緣層上的數據線以及形成位于所述源漏極層、第二絕緣層和第一導電膜中的暴露出所述有源層的溝槽。

16.如權利要求15所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于：所述步驟S4具體包括：

步驟S41：在所述第一導電膜上沉積形成第三絕緣層，其中沉積溫度為290-360℃，所述第三絕緣層填充所述溝槽；

步驟S42：對所述第三絕緣層進行刻蝕，暴露出所述第一導電膜。