[發(fā)明專利]一種制備CIGS太陽能電池吸收層的硒化爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310627444.3 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103594563A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 伍祥武;陳進中;莫經耀;吳伯增;林東東;甘振英 | 申請(專利權)人: | 柳州百韌特先進材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C23C14/58 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259 | 代理人: | 姚迎新 |
| 地址: | 545006 廣西壯族自治區(qū)*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 cigs 太陽能電池 吸收 硒化爐 | ||
1.一種制備CIGS太陽能電池吸收層的硒化爐,包括硒化CIGS太陽能電池襯底的爐膛和穿過該爐膛兩端傳送襯底的輸送帶,爐膛整個外壁包覆有溫控加熱裝置,其特征在于:所述爐膛通過四對上、下擋板依次分隔為噴涂區(qū)、反應區(qū)和進氣區(qū),上、下擋板之間留有供輸送帶移動的間隙,所述噴涂區(qū)內安裝有向移動的所述襯底噴射硒蒸氣的噴射裝置;在爐膛反應區(qū)一端設有惰性氣體進氣孔,爐膛另一端設有排氣孔,所述噴涂區(qū)與反應區(qū)之間、反應區(qū)和進氣區(qū)之間均設有氣體通孔。
2.根據權利要求1所述的硒化爐,其特征在于:所述進氣孔、通孔、排氣孔交錯設置于對應的上、下擋板上。
3.根據權利要求2所述的硒化爐,其特征在于:所述進氣孔設置于爐膛所述一端的下擋板上。
4.根據權利要求3所述的硒化爐,其特征在于:所述噴涂區(qū)下側設有支撐輸送帶的透氣墊。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的硒化爐,其特征在于:所述噴射裝置包括數個噴嘴,數個噴嘴分布成與輸送帶運動方向垂直的一列。
6.根據權利要求1至4中任意一項所述的硒化爐,其特征在于:所述噴射裝置包括一硒蒸氣管,該硒蒸氣管上開具有至少一排噴射孔,每一排噴射孔與輸送帶運動方向垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





