[發明專利]一種摻雜鉻的晶態鎢薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201310627059.9
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN103628026A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 朱開貴;劉方舒
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/35
• 代理公司: 北京永創新實專利事務所 11121
• 代理人: 李有浩

1.一種摻雜鉻的晶態鎢薄膜，其特征在于：該摻雜鉻的晶態鎢薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。

2.根據權利要求1所述的摻雜鉻的晶態鎢薄膜，其特征在于：該摻雜鉻的晶態鎢薄膜的厚度為2.5微米～3.5微米。

3.一種采用采用磁控濺射工藝制備摻雜鉻的晶態鎢薄膜的方法，其特征在于有下列步驟：

步驟一：鎢基片的清潔處理

鎢基片的質量百分比純度為99.999%；

先將鎢基片置于去離子水中進行超聲清洗2～5分鐘，再置于酒精（質量百分比濃度為70%）中進行超聲清洗2～5分鐘，再置于丙酮（質量百分比濃度為99.5%）中進行超聲清洗2～5分鐘，再置于去離子水中進行超聲清洗2～5分鐘，再置于酒精中進行超聲清洗2～5分鐘，取出，自然干燥后，得到清潔后鎢基片；

超聲波清洗的頻率設置為30KHz；

步驟二：靶材和基片的放置

先將鎢靶材放置在磁控濺射儀真空室中的直流濺射臺上，再把鉻靶材放置在鎢靶的最大濺射區；

將步驟一清洗后的鎢基片放置在真空室中的樣品臺上；

步驟三：調節濺射氣壓、濺射直流

將基片與鞋材放置好后，關閉真空室，對真空室抽真空至背底真空4×10^－4～5.5×10^－4Pa；

然后，向真空室充入氬氣，并調節氬氣流量和濺射氣壓，氬氣流量為19～21scc，濺射氣壓為0.7～0.9Pa；氬氣的體積百分比純度為99.999%；

然后，調節空載比50和濺射直流電流0.14～0.16A；

步驟四：磁控濺射制薄膜

依據步驟三設置好的濺射工藝參數，打開運行開關，預濺射5～10min后，調節基片至濺射區域，然后磁控濺射沉積時間5～8h后，關閉設備，取出摻雜鉻的晶態鎢薄膜。

4.根據權利要求3所述的采用采用磁控濺射工藝制備摻雜鉻的晶態鎢薄膜的方法，其特征在于：鉻靶材的規格尺寸為4×4×2mm，鉻靶材放置在鎢靶材上的方式為對稱放置。

5.根據權利要求4所述的采用采用磁控濺射工藝制備摻雜鉻的晶態鎢薄膜的方法，其特征在于：鉻靶材的數量為2、4或6塊。

6.根據權利要求3所述的采用采用磁控濺射工藝制備摻雜鉻的晶態鎢薄膜的方法，其特征在于：制得的摻雜鉻的晶態鎢薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。

7.根據權利要求3所述的采用采用磁控濺射工藝制備摻雜鉻的晶態鎢薄膜的方法，其特征在于：制得的摻雜鉻的晶態鎢薄膜的的厚度為2.5微米～3.5微米。