[發(fā)明專利]一種金屬刻蝕工藝檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310627003.3 | 申請日: | 2013-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN104681459A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李如東;譚志輝;宋秀海 | 申請(專利權(quán))人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 刻蝕 工藝 檢測 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作工藝領(lǐng)域,尤其涉及一種金屬刻蝕工藝檢測方法。
背景技術(shù)
隨著集成電路的制造工藝的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體特征尺寸不斷縮小。而由于半導(dǎo)體的金屬線條在設(shè)計排布時過于密集,使得一些金屬線條不能直接連接,此時,就需要跳線電阻來連接這些金屬線條。如圖1所示,金屬線條101與金屬線條102之間,排布了若干金屬線條使得金屬線條101與金屬線條102不便于直接連接,此時在金屬線條101與金屬線條102之間連接了一跳線電阻103,金屬線條101與金屬線條102通過跳線電阻103方便地連接起來。
然而,在半導(dǎo)體中的跳線電阻上形成金屬層之后,在對該金屬層刻蝕的過程中,如果金屬刻蝕工藝不穩(wěn)定,使得跳線電阻的介質(zhì)層不能完全阻擋刻蝕損傷,會影響跳線電阻的阻值大小。因此,需要一種方法能夠?qū)饘倏涛g工藝進行檢測,以防對跳線電阻的金屬層的刻蝕造成跳線電阻的損傷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是,提供一種金屬刻蝕工藝檢測方法,能夠檢測跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預(yù)設(shè)要求,避免了在對跳線電阻上的金屬層進行刻蝕時,跳線電阻的介質(zhì)層沒有完全阻擋住刻蝕損傷的問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種金屬刻蝕工藝檢測方法,包括:生成待檢測的跳線電阻;輸入測試電信號,獲取所述待檢測的跳線電阻的一電性能的第一值;在所述待檢測的跳線電阻上形成金屬層;根據(jù)所述跳線電阻上的布線結(jié)構(gòu)對所述待檢測的跳線電阻上的金屬層進行刻蝕;輸入所述測試電信號,獲取刻蝕后的所述待檢測的跳線電阻的所述一電性能的第二值;根據(jù)所述一電性能的第一值和第二值,判斷所述跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預(yù)設(shè)要求。
進一步地,所述跳線電阻為P型電阻;所述生成待檢測的跳線電阻,具體為:在半導(dǎo)體襯底的預(yù)定形成P型電阻的區(qū)域注入P型離子;在所述預(yù)定形成P型電阻的區(qū)域形成介質(zhì)層;在所述介質(zhì)層上形成引線孔。
進一步地,所述金屬層為鋁層。
進一步地,輸入所述測試電信號,獲取所述待檢測的跳線電阻的電性能,具體為:在所述待檢測跳線電阻的兩個引線孔處分別引出與測試探針連接的導(dǎo)電部;在所述兩個測試探針間加一電壓,獲取所述待檢測的跳線電阻的電性能。
本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
本發(fā)明通過檢測跳線電阻的電性能及刻蝕后的跳線電阻的電性能是否發(fā)生變化,檢測對跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預(yù)設(shè)要求。
附圖說明
圖1為跳線電阻示意圖。
圖2為本發(fā)明實施例1提供的金屬刻蝕工藝檢測方法流程圖。
圖3為本發(fā)明實施例1提供的獲取待檢測跳線電阻的電性能的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明實施例1提供的獲取經(jīng)過金屬刻蝕后的待檢測跳線電阻的電性能的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本發(fā)明實施例2提供的金屬刻蝕工藝檢測方法流程圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
本發(fā)明的實施例針對現(xiàn)有技術(shù)中在對跳線電阻上的金屬層進行刻蝕的過程中,刻蝕工藝的不穩(wěn)定會導(dǎo)致跳線電阻的介質(zhì)層無法完全阻擋住刻蝕損傷的問題,提供了一種金屬刻蝕工藝檢測方法,能夠檢測對跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預(yù)設(shè)要求。
圖2為本發(fā)明實施例1提供的金屬刻蝕工藝檢測方法流程圖。如圖所示,包括:
步驟S200,生成待檢測的跳線電阻;
步驟S202,輸入測試電信號,獲取所述待檢測的跳線電阻的一電性能的第一值;
步驟S204,在所述待檢測的跳線電阻上形成金屬層;
步驟S206,根據(jù)所述跳線電阻上的布線結(jié)構(gòu)對所述待檢測的跳線電阻上的金屬層進行刻蝕;
步驟S208,輸入所述測試電信號,獲取刻蝕后的所述待檢測的跳線電阻的所述一電性能的第二值;
步驟S210,根據(jù)所述一電性能的第一值和第二值,判斷所述跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預(yù)設(shè)要求。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





