[發明專利]一種金屬刻蝕工藝檢測方法在審
| 申請號: | 201310627003.3 | 申請日: | 2013-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN104681459A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發明(設計)人: | 李如東;譚志輝;宋秀海 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金屬 刻蝕 工藝 檢測 方法 | ||
1.一種金屬刻蝕工藝檢測方法,其特征在于,包括:
生成待檢測的跳線電阻;
輸入測試電信號,獲取所述待檢測的跳線電阻的一電性能的第一值;
在所述待檢測的跳線電阻上形成金屬層;
根據所述跳線電阻上的布線結構對所述待檢測的跳線電阻上的金屬層進行刻蝕;
輸入所述測試電信號,獲取刻蝕后的所述待檢測的跳線電阻的所述一電性能的第二值;
根據所述一電性能的第一值和第二值,判斷所述跳線電阻上的金屬層的刻蝕工藝是否符合預設要求。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述跳線電阻為P型電阻;
所述生成待檢測的跳線電阻,具體為:
在半導體襯底的預定形成P型電阻的區域注入P型離子;
在所述預定形成P型電阻的區域形成介質層;
在所述介質層上形成引線孔。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述金屬層為鋁層。
4.如權利要求2所述的方法,其特征在于,
輸入所述測試電信號,獲取所述待檢測的跳線電阻的電性能,具體為:
在所述待檢測跳線電阻的兩個引線孔處分別引出與測試探針連接的導電部;
在所述兩個測試探針間加一電壓,獲取所述待檢測的跳線電阻的電性能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





