[發明專利]具有錐形側屏蔽側壁的數據寫入器

有效

• 申請號: 201310625340.9
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103854665B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: E·S·里維利;J·薛;E·R·麥洛克;H·殷;陳永華
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/11
• 分類號: G11B5/11;G11B5/127
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 錢慰民

發明內容

各實施例總地涉及能用于高數據位密度數據存儲環境的數據寫入器。

根據各實施例，一寫極可具有極側壁以及連接前緣和后緣的連續的第一錐角。該寫極可毗鄰于側屏蔽地定位，該側屏蔽配置有削錐至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽側壁，該屏蔽末梢是寫極和側屏蔽之間的最近點。

附圖說明

圖1是根據各實施例構造和操作的示例數據存儲設備的俯視框圖。

圖2例示了能被用在圖1的數據存儲設備中的示例磁性元件的橫截面示意框圖。

圖3顯示了根據一些實施例構造的示例磁性元件的一部分的ABS視角示意框圖。

圖4例示了根據各個實施例構造的示例磁性元件的一部分的ABS視角示意框圖。

圖5例示了根據各個實施例構造的示例磁性元件的一部分的ABS視角示意框圖。

圖6是根據一些實施例構造的示例磁性元件的一部分的ABS視角示意框圖。

圖7給出了根據各實施例執行的示例性磁性元件制造例程的流程圖。

具體實施方式

由于數據存儲設備向更大數據存儲容量和更快數據存取速率發展，隨著各設備組件的物理尺寸和公差減小，對歧途磁通的磁屏蔽成為制造和操作性能困難的劇烈來源。盡管對其上安置數據位的數據磁道的最小化能解決以毗鄰磁道干擾(ATI)形式出現的特定操作困難，然而將側向磁屏蔽毗鄰于磁存取特征(例如寫極和磁阻疊層)而定位可通過減小存取特征的磁范圍而減輕ATI。然而，增設側向磁屏蔽可能遭受磁場和磁梯度損失，因為磁屏蔽隨著磁存取特征所意欲的磁化而飽和。因此，對能夠不減小磁場和梯度地實現在形狀因數減小的數據存儲設備中的磁屏蔽配置存在一種持續的產業需求。

因此，各實施例總體涉及用寫極來配置磁性元件，該寫極具有極側壁和連接前緣和后緣的連續第一錐角，其中寫極被定位在毗鄰側屏蔽的位置，該側屏蔽配置有削錐至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽側壁，該屏蔽末梢是寫極和側屏蔽之間的最近點。可選擇性地調諧屏蔽末梢的位置和來自屏蔽末梢的屏蔽側壁相對于寫極的角取向以提供預定的磁范圍。這類經調諧的磁屏蔽配置可額外地減輕使屏蔽飽和的磁通，而不是對數據位存取作出貢獻。

盡管可在無限制的各個環境中實踐至少一個經調諧的磁屏蔽，但是圖1一般地例示了可根據各個實施例利用經調諧的磁性元件的示例數據存儲裝置100的俯視示意框圖。數據存儲裝置100是在非限定性配置中示出的，其中致動組件102能將換能頭104定位在磁性存儲介質106上的各個位置之上，在該磁性存儲介質106上，所存儲的數據位108位于預定的數據磁道110上。存儲介質106可被附接至一個或多個主軸電機112，該主軸電機112在使用過程中旋轉以產生空氣承載表面（ABS），致動組件102的滑塊部分114在ABS上飛行以將包括換能頭104的頭萬向節組件（HGA）116定位在介質106的預定部分之上。

換能頭104可被配置有一個或多個換能元件，如磁寫入器、磁響應讀取器和磁屏蔽，它們操作以分別對存儲介質106的所選數據磁道110進行編程和讀取數據。如此，致動組件102的受控運動對應于換能器與存儲介質表面上界定的數據磁道110的對準，以寫入、讀取和重寫數據。隨著數據位108變得更密集地定位在具有較小徑向寬度的數據磁道110內，頭104可能非有意地接收來自毗鄰數據磁道110上的數據位的磁通，這會誘發使數據存儲設備100的性能降級的磁噪聲和干擾。

圖2示出構造有磁屏蔽以減輕形狀因子減小的數據磁道和更密集充填的數據位的影響的示例磁性元件120的橫截面示意框圖。如圖所示，磁性元件120可具有一個或多個數據存取元件，例如磁讀取器122和寫入器124，它們可以單獨地或同時地操作以向毗鄰的存儲介質（諸如圖1的介質106）寫數據或從中檢索數據。每個磁性元件122、124由多種屏蔽和換能元件構成，這些屏蔽和換能元件作用以將數據沿數據磁道126讀取自/寫入至相應的數據介質。

磁讀取元件122具有位于前緣屏蔽和后緣屏蔽132和134之間的磁阻層130。同時，寫入元件124具有寫入極136和至少一個返回極138，寫入極136和至少一個返回極138建立寫入電路，以給予毗鄰的存儲介質預定的磁取向。在圖2所示的寫入元件124的非限定性配置中，兩個返回極138各自接觸地毗鄰于非磁性間隙層140和后緣屏蔽142，非磁性間隙層140和后緣屏蔽142防止來自極136、138的磁通延伸超出寫入元件124的邊界。每個返回極138進一步接觸絕緣材料144，該絕緣材料144維持寫極136、138的磁隔離。