[發(fā)明專利]具有錐形側(cè)屏蔽側(cè)壁的數(shù)據(jù)寫入器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310625340.9 | 申請日： | 2013-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN103854665B | 公開（公告）日： | 2018-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | E·S·里維利;J·薛;E·R·麥洛克;H·殷;陳永華 | 申請（專利權(quán)）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/11 | 分類號： | G11B5/11;G11B5/127 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 錢慰民 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 錐形 屏蔽 側(cè)壁 數(shù)據(jù) 寫入 | ||
1.一種用于寫數(shù)據(jù)的裝置，包括具有極側(cè)壁的寫極，所述極側(cè)壁具有連接前緣和后緣的連續(xù)的第一錐角，所述寫極毗鄰于配置有削錐至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽側(cè)壁的側(cè)屏蔽，所述屏蔽末梢包括連接所述第一和第二屏蔽側(cè)壁的具有預(yù)定長度的直線形側(cè)壁，所述直線形側(cè)壁與所述寫極的后緣正交地取向。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述屏蔽末梢被定位在所述前緣和后緣之間。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二屏蔽側(cè)壁以相反角度從所述屏蔽末梢延伸出。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二屏蔽側(cè)壁中的至少一個連續(xù)地延伸超出所述寫極的前緣和后緣。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二屏蔽側(cè)壁以不同的第二和第三錐角從所述屏蔽末梢延伸出。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述屏蔽末梢被定位成接近所述前緣。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述直線形側(cè)壁被完全地定位在所述前緣和后緣之間。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述屏蔽末梢被定位成與所述前緣相隔第一距離并與所述后緣相隔第二距離，所述第一距離小于所述后緣。
9.一種磁性元件，包括具有極側(cè)壁的寫極，所述極側(cè)壁具有連接前緣和后緣的連續(xù)的第一錐角，所述寫極設(shè)置在第一側(cè)屏蔽和第二側(cè)屏蔽之間并與之分離，所述第一側(cè)屏蔽和第二側(cè)屏蔽中的每一個配置有削錐至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽側(cè)壁，所述屏蔽末梢包括連接所述第一和第二屏蔽側(cè)壁的具有預(yù)定長度的直線形側(cè)壁，所述直線形側(cè)壁與所述寫極的后緣正交地取向。
10.如權(quán)利要求9所述的磁性元件，其特征在于，所述第一和第二側(cè)屏蔽具有不同的屏蔽側(cè)壁總數(shù)。
11.如權(quán)利要求9所述的磁性元件，其特征在于，所述側(cè)屏蔽中的至少一個包括具有不同磁矩的多個層。
12.如權(quán)利要求11所述的磁性元件，其特征在于，所述多個層具有不同的厚度。
13.如權(quán)利要求11所述的磁性元件，其特征在于，所述多個層中的第一層具有位于所述前緣附近的第一磁矩，所述第一磁矩大于所述多個層中的第二層的第二磁矩。
14.如權(quán)利要求9所述的磁性元件，其特征在于，第一和第二側(cè)屏蔽兩者的所述第一屏蔽側(cè)壁延伸超出所述后緣以形成郵箱體。
15.如權(quán)利要求9所述的磁性元件，其特征在于，第一和第二側(cè)屏蔽中的至少一個的所述第二屏蔽側(cè)壁從所述前緣延伸至下道的平面。
16.一種數(shù)據(jù)寫入器，包括具有極側(cè)壁的寫極，所述極側(cè)壁具有連接前緣和后緣的連續(xù)的第一錐角，所述寫極設(shè)置在第一側(cè)屏蔽和第二側(cè)屏蔽之間并與之分離，所述第一側(cè)屏蔽和第二側(cè)屏蔽中的每一個配置有削錐至屏蔽末梢并提供位于所述后緣附近的郵箱體的第一和第二屏蔽側(cè)壁，所述屏蔽末梢包括連接所述第一和第二屏蔽側(cè)壁的具有預(yù)定長度的直線形側(cè)壁，所述直線形側(cè)壁與所述寫極的后緣正交地取向。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)寫入器，其特征在于，所述郵箱體具有比所述寫極的極寬度更大的預(yù)定寬度。
18.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)寫入器，其特征在于，所述郵箱體是由至少一個側(cè)屏蔽和后緣屏蔽的聯(lián)合體形成的。
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