[發(fā)明專利]一種鋁襯墊制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310625197.3 | 申請日： | 2013-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN103646883A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡彬彬;韓曉剛;陳建維;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯墊 制備 方法 | ||
1.一種鋁襯墊制備方法，其特征在于，
所述制備方法包括：
提供襯底，在所述襯底上形成鋁薄膜層、鈦薄膜層和氮氧化硅抗反射層，刻蝕氮氧化硅抗反射層、鈦薄膜層和鋁薄膜層以形成鋁襯墊，所述鋁襯墊包括鋁薄膜層及其上方的鈦薄膜層；
在所述鋁襯墊、氮氧化硅抗反射層以及襯底上方依次形成鈍化層、光阻層，并在鈍化層需要開口的地方進行光阻層曝光顯影，形成開口；
以所述光阻層為掩膜，在所述開口內依次進行鈍化層、氮氧化硅抗反射層刻蝕，暴露出所述鋁襯墊頂面；
或者所述制備方法包括:
提供襯底，在所述襯底上形成鋁薄膜層和鈦薄膜層，刻蝕所述鈦薄膜層和鋁薄膜層以形成鋁襯墊，所述鋁襯墊包括鋁薄膜層及其上方的鈦薄膜層；
在所述鋁襯墊以及襯底上方依次形成氮氧化硅抗反射層、鈍化層、光阻層，并在鈍化層需要開口的地方進行光阻層曝光顯影，形成開口；
以所述光阻層為掩膜，在所述開口內依次進行鈍化層、氮氧化硅抗反射層刻蝕，暴露出所述鋁襯墊頂面。
2.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，所述鋁薄膜層的厚度為1微米到10微米。
3.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，所述鈦薄膜層的厚度為50埃米到300埃米。
4.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，通過物理氣相沉積工藝或者化學氣相沉積工藝或者金屬濺射沉積工藝分別形成鋁薄膜層和鈦薄膜層。
5.如權利要求1或4所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，所述氮氧化硅抗反射層的厚度為100埃米到1000埃米。
6.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，所述鈍化層為氧化硅或氮化硅或氮氧化硅或它們的組合。
7.如權利要求1或6所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為1微米到10微米。。
8.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕鈍化層、氮氧化硅抗反射層以露出鋁襯墊表面以用于后續(xù)的封裝引線；或者采用等離子體刻蝕工藝刻蝕鈍化層、氮氧化硅抗反射層和部分鋁襯墊表面以露出鋁襯墊表面以用于后續(xù)的封裝引線。
9.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，在所述襯底上形成鋁襯墊層之前，還在所述襯底中形成金屬互連結構，所述鋁襯墊與所述金屬互連結構電連接。
10.如權利要求1所述的鋁襯墊制備方法，其特征在于，暴露出所述鋁襯墊頂面之后還包括：去除光阻層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
