[發明專利]可有效減緩賈凡尼效應的刻蝕液

在審

• 申請號: 201310616738.6
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104674222A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 蔡政穎;廖程楷;徐素斐
• 申請（專利權）人: 芝普企業股份有限公司
• 主分類號: C23F1/44
• 分類號: C23F1/44
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種刻蝕液，特別是涉及含有含氮五元雜環化合物的一種可有效減緩賈凡尼效應的刻蝕液。

背景技術

在印刷電路板或者集成電路的后段制造過程中，為了在印刷電路板或者硅晶圓上制作出具有特定圖案(pattern)的金屬層(即，導線或焊接墊)，通常是通過光刻刻蝕技術配合特定的刻蝕液予以完成，例如：氯化鐵是刻蝕液、氯化銅是刻蝕液、堿性刻蝕液等。但是，在這些刻蝕液中，存在被稱為底切(undercut)的問題。

請參閱圖1與圖2，是在印刷電路板上制作具有特定圖案的銅層的制造過程示意圖。在一般的印刷電路板的銅導線制造過程中，如圖1所示，是先于基板10’上的銅層11’之上形成具有特定圖案的阻蝕層(etch-resisting?layer)12’；接著，再通過濕刻蝕的方式去除未被阻蝕層12’覆蓋的銅層11’；最后，在去除阻蝕層(etch-resisting?layer)12’后，例如銅導線或者銅焊墊的具有特定圖案的銅層11’便形成于該基板10’之上。然而，隨著新時代的產品對于印刷電路板導線的線寬的要求，如圖2所示，在制作極細微的銅導線時，被阻蝕層12’覆蓋的銅層11’也開始產生側蝕(lateral?etching)現象，而這種現象便稱之為底切(undercut)。

此外，由于智能型手機、平板計算機等消費型電子產品的高度普及，傳統使用銅導線作為信號傳輸的印刷電路板已無法負荷上述消費型電子產品的高頻、高速應用；因此，銅/金混合印刷電路板于是被提出并加以應用于上述等消費型電子產品之中。請參閱圖3，是銅/金混合印刷電路板的仰視圖。如圖3所示，基板10”制作有銅導線11”與金導線12”，其中，由于金導線12”的還原電位是低于銅導線11”，因此，當借由濕刻蝕的方式在基板10”制作有銅導線11”與金導線12”之時，連接于金導線12”的銅導線11”便會產生過度刻蝕的現象產生。

因此，綜合上述對于現有習用的銅/金混合印刷電路板的銅導線過度刻蝕的解決方案的說明，可以得知目前所習用的解決方案是仍具有許多缺點與不足；有鑒于此，本申請的發明人是極力加以研究發明，而終于研發完成本發明的一種可有效減緩賈凡尼效應的刻蝕液。

發明內容

本發明的主要目的，在于提供一種可有效減緩賈凡尼效應的刻蝕液，其主要是借由將特定比例的刻蝕劑與含氮五元雜環化合物溶于水而制成的刻蝕液；如此，當使用者應用此刻蝕液對包含至少一個第一金屬(例如金)與至少一個第二金屬(例如銅)的基板進行濕式刻蝕時，該含氮五元雜環化合物會在具有較高還原電位的第一金屬(即，金)上形成有機護膜，進而有效避免第二金屬因受到賈凡尼效應(galvanic?effect)的影響而導致過度刻蝕的現象。

因此，為了達成本發明上述的目的，本申請的發明人提出一種可有效減緩賈凡尼效應的刻蝕液，是應用于對至少包含第一金屬與第二金屬的基板進行濕式刻蝕制造過程，該刻蝕液是包括：

溶劑；刻蝕劑，是溶于該溶劑之中，以形成刻蝕液；以及含氮五元雜環化合物，是溶于該刻蝕劑之中以作為該濕式刻蝕制造過程之中的有機護膜，其中該刻蝕劑在該溶劑之中的含量是介于5g/L至250g/L之間，且該含氮五元雜環化合物在該溶劑之中的含量是介于0.01g/L至50g/L之間。

在上述的刻蝕液中，該含氮五元雜環化合物可以是如下列化學式1或化學式2所示的化學結構，其中，R1為第一基團，且該第一基團是選自于下列群組之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、苯酸或氫。

[化學式1]???????????[化學式2]

并且，更能增加一個或者兩個第二有機基團或是氫至化學式2之中，使得該含氮五元雜環化合物成為正離子，并借由令該含氮五元雜環化合物帶有至少一個負離子，而使其化學式達到電荷平衡；其中，增加有一個第二有機基團或是氫的該含氮五元雜環化合物是如下列化學式3或者化學式4所表示；并且，增加有兩個第二有機基團或是氫的該含氮五元雜環化合物是如下列化學式5所表示：

[化學式3]???????????[化學式4]

[化學式5]