[發(fā)明專利]包括交替的源極和漏極區(qū)域以及相應(yīng)的源極和漏極金屬帶的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310616727.8
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103855216A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·諾頓;J·D·威爾德
• 申請（專利權(quán)）人: 英力股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/528;H01L23/495;H01L21/336;H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域，在所述襯底上被形成為交替圖案；

多個柵極，在所述多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間并且與其平行地形成于所述襯底之上；以及

第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶，形成于在所述襯底上方的第一金屬層中，并且與所述多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的相應(yīng)源極區(qū)域和漏極區(qū)域平行并且形成電接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的所述源極金屬帶和漏極金屬帶被定向為平行于所述多個柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶，形成于在所述第一金屬層上方的第二金屬層中，所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶覆在所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的所述源極金屬帶和漏極金屬帶上面并且與其平行，所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的所述源極金屬帶和漏極金屬帶通過穿過第一絕緣層的過孔電耦合至所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的相應(yīng)所述源極金屬帶和漏極金屬帶。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于在所述第二金屬層上方的第三金屬層中的源極接觸和漏極接觸，形成于所述第三金屬層中的所述源極接觸和漏極接觸通過穿過第二絕緣層的過孔電耦合至所述第二金屬層中的所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的源極金屬帶和漏極金屬帶。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括重分布層，形成于所述第三金屬層上方并且通過穿過第三絕緣層的過孔電耦合至所述第三金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括多個金屬柱，形成于所述重分布層上方并且與所述重分布層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括傳導(dǎo)圖案化引線框架，通過所述多個金屬柱電耦合至所述重分布層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件用包封劑進(jìn)行封閉并且所述傳導(dǎo)圖案化引線框架的多個部分被暴露以用作用于所述半導(dǎo)體器件的外部接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括柵極金屬帶，形成于所述第一金屬層中，并且被定向為垂直于所述多個柵極并且電耦合至所述多個柵極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述襯底的外圍處的多個柵極驅(qū)動器，電耦合至所述柵極金屬帶。

11.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上將多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域形成為交替圖案；

在所述多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間并且與其平行地在所述襯底之上形成多個柵極；并且

在所述襯底上方的第一金屬層中形成第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶，并且所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶與所述多個源極區(qū)域和漏極區(qū)域中的相應(yīng)源極區(qū)域和漏極區(qū)域平行并且形成電接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述第一金屬層上方的第二金屬層中形成第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶，所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶覆在所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的所述源極金屬帶和漏極金屬帶上面并且與其平行，所述第一多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的所述源極金屬帶和漏極金屬帶通過過孔電耦合至所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的相應(yīng)所述源極金屬帶和漏極金屬帶。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述第二金屬層上方的第三金屬層中形成源極接觸和漏極接觸，形成于所述第三金屬層中的所述源極接觸和漏極接觸通過過孔電耦合至所述第二金屬層中的所述第二多個交替的源極金屬帶和漏極金屬帶中的源極金屬帶和漏極金屬帶。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括：

在所述第三金屬層上方形成重分布層；

在所述重分布層上方并且與所述重分布層接觸形成多個金屬柱；

將傳導(dǎo)圖案化引線框架通過所述多個金屬柱耦合至所述重分布層；并且

用包封劑封閉所述半導(dǎo)體器件，其中所述傳導(dǎo)圖案化引線框架的多個部分被暴露以用作用于所述半導(dǎo)體器件的外部接觸。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括:

形成柵極金屬帶，所述柵極金屬帶在所述第一金屬層中，并且被定向為垂直于所述多個柵極并且電耦合至所述多個柵極；以及

將在所述襯底的外圍處的多個柵極驅(qū)動器耦合至所述柵極金屬帶。