[發(fā)明專利]一種非易失性存儲器的修復方法

在審

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• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104681097A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設計）人: 薛子恒;潘榮華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本發(fā)明涉及非易失性存儲器技術領域，具體涉及一種非易失性存儲器的修復方法。

背景技術

非易失性存儲器，又稱為非揮發(fā)性存儲器，簡單地說，就是在斷電情況下能夠保持所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器。對于非易失性存儲器，在正常的存儲單元中，編程單元存儲的數(shù)據(jù)為0，擦除單元存儲的數(shù)據(jù)為1。然而編程單元因自身的內部缺陷或者宇宙射線等因素影響會造成浮柵漏電，相應存儲單元中的電子會不斷跑掉，閾值電壓會逐漸降低，隨著時間的推移，編程單元中的數(shù)據(jù)由0變?yōu)?，再進行讀操作時，讀出的數(shù)據(jù)就是錯誤的，從而降低了非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持力。

數(shù)據(jù)保持力是指存儲單元中單個比特能夠保持其數(shù)據(jù)穩(wěn)定的周期，它是非易失性存儲器非常重要的一個性能指標，它的性能直接影響到存儲器的可靠性和使用壽命。導致數(shù)據(jù)保持力降低的主要因素有存在的漏電、電荷的損失或者增加；此外，高溫或者反復的擦除編程操作，也可能會導致電荷量的變化，從而造成數(shù)據(jù)的丟失。通常數(shù)據(jù)保持時間會伴隨擦除和編程操作次數(shù)的增加而減少。非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持特性，一般要求是在10年以上。因此，改善數(shù)據(jù)保持力，對于提高存儲器的可靠性十分重要。

現(xiàn)有技術中，提高非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持力的方法基本上是在非易失性存儲器進行擦除操作過程中加入修復操作，但是如果長時間不做擦除操作，隨著時間的累積，造成的直接結果將存儲單元中編程單元的數(shù)據(jù)丟失，從而使非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持力降低。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種非易失性存儲器的修復方法，來解決非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保持力降低的技術問題。

本發(fā)明提供了一種非易失性存儲器的修復方法，包括：

完成對所述非易失性存儲器的上電；

判斷所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求，如果沒有所述擦除或編程操作的請求，則對所述非易失性存儲器的修復單元進行修復校驗同時監(jiān)測所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求；

如果沒有所述擦除或編程操作的請求并且所述修復單元沒有通過所述修復校驗，則對所述修復單元進行修復操作同時監(jiān)測所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求；

如果沒有所述擦除或編程操作的請求并且所述修復單元通過所述修復校驗或如果沒有所述擦除或編程操作的請求并且完成所述修復操作，則判斷所述修復單元對應的修復地址是否是所述非易失性存儲器的最后一個修復地址；

如果是所述最后一個修復地址，則結束對所述非易失性存儲器的修復操作，否則遞增所述修復單元對應的修復地址并且返回到對所述非易失性存儲器的修復單元進行修復校驗同時監(jiān)測所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求。

進一步地，在判斷所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求之后，還包括：

如果有所述擦除或編程操作的請求，則處理所述擦除或編程操作的請求并且返回到判斷所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求。

進一步地，在對所述非易失性存儲器的修復單元進行修復校驗并同時監(jiān)測所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求之后和在對所述修復單元進行修復操作同時監(jiān)測所述非易失性存儲器是否有擦除或編程操作的請求之后，均還包括：

如果所述非易失性存儲器有擦除或編程操作的請求，則暫停所述修復校驗并記錄所述非易失性存儲器的當前的修復地址；

記錄完所述當前的修復地址后，處理所述擦除或編程操作的請求。

進一步地，對所述修復單元進行修復校驗的方式為將所述修復單元的閾值電壓與所述修復校驗的基準電壓進行比較。

進一步地，所述修復校驗的基準電壓包括讀電壓和校驗電壓，其中，所述讀電壓小于所述校驗電壓。

進一步地，在進行所述修復校驗時，先進行所述讀電壓的修復校驗，再進行所述校驗電壓的修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓大于讀電壓且小于校驗電壓時，所述修復單元沒有通過所述修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓大于讀電壓且大于校驗電壓時，所述修復單元通過所述修復校驗。

進一步地，當所述修復單元的閾值電壓小于校驗電壓且小于讀電壓時，所述修復單元通過所述修復校驗。