[發(fā)明專利]外殼及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310614634.1
• 申請(qǐng)日: 2013-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN104669709A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張春杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): B32B15/04
• 分類號(hào): B32B15/04;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/06;H05K5/04
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種外殼，其包括基材及形成于基材表面的透明膜，該透明膜包括打底層、過渡層和透明層，其特征在于：該打底層為鉻層，該過渡層為碳化鉻層，該透明層為硅層，該打底層形成于所述基材的表面，該過渡層形成于該打底層的表面，該透明層形成于該過渡層的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述透明層由硅原子組成，該透明層的厚度為0.1-0.3μm。

3.如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述打底層的厚度為0.1-0.3μm，所述過渡層的厚度為0.2-0.4μm。

4.如權(quán)利要求1所述的外殼，其特征在于：所述基材的材質(zhì)為金屬、塑料或陶瓷。

5.一種外殼的制造方法，其包括如下步驟：

提供基材；

以鉻靶為靶材，采用磁控濺射法在基材表面濺鍍打底層，該打底層為鉻層；

以鉻靶為靶材，通入反應(yīng)氣體乙炔，采用磁控濺射法在打底層的表面濺鍍過渡層，該過渡層為碳化鉻層；

以硅靶為靶材，采用磁控濺射法在過渡層的表面濺鍍透明層，該透明層為硅層。

6.如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述基材的材質(zhì)為金屬、塑料或陶瓷。

7.如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述打底層的厚度為0.1-0.3μm，制備該打底層的工藝參數(shù)為：鉻靶使用射頻電源，鉻靶功率為8-15KW，通入氬氣，氬氣流量為100-150sccm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為120-180℃，施加于基材的負(fù)偏壓為100-250V，鍍膜時(shí)間為5-10min。

8.如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述過渡層的厚度為0.2-0.4μm，制備該過渡層的工藝參數(shù)為：鉻靶使用射頻電源，鉻靶功率為6-12KW，通入氬氣，氬氣流量為80-140sccm，乙炔流量為50-75sccm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為100-150℃，施加于基材的負(fù)偏壓為200-300V，鍍膜時(shí)間為40-50min。

9.如權(quán)利要求5所述的外殼的制造方法，其特征在于：所述透明層由硅原子組成，該透明層的厚度為0.1-0.3μm，制備該透明層的工藝參數(shù)為：硅靶使用射頻電源，硅靶功率為4-8KW，通入氬氣，氬氣流量為50-135sccm，鍍膜室的室內(nèi)溫度為90-120℃，施加于基材的負(fù)偏壓為200-400V，鍍膜時(shí)間為20-40min。