[發(fā)明專利]半導體光接收裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310614577.7
• 申請日: 2013-11-28
• 公開（公告）號: CN103985768B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設計）人: 增山祐士;中路雅晴;久義浩
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

技術領域

本發(fā)明涉及半導體光接收裝置。

背景技術

以往，已知例如像在日本特開2006-253676號公報中所公開的那樣，對被稱為干部（stem）或頭部（header）的固定構件設置凹部，在該凹部內(nèi)裝載有電子部件的半導體光接收裝置。具體地說，該公報的半導體光接收裝置在干部上裝載有半導體光接收元件和前置放大器IC。干部的主面中的裝載有這些光接收元件和前置放大器IC的裝載區(qū)域與其它區(qū)域相比低一級地形成。由此，能使從前置放大器IC的電極朝向干部表面的接合線（bonding?wire）的長度變短。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-253676號公報；

專利文獻2：日本實開平5-004534號公報；

專利文獻3：日本特開2003-134051號公報。

發(fā)明要解決的課題

上述現(xiàn)有技術的半導體光接收裝置采用所謂的CAN封裝構造，對頭部上表面進行引線接合（wire?bonding）。在這樣的情況下，不得不在頭部上表面確保固定的空間，必須不可避免地較寬地獲取頭部上表面的區(qū)域。因此，存在不得不使頭部上表面變大或降低電子部件的安裝密度等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述那樣的課題而完成的，其目的在于，提供一種能減少對頭部上表面的引線接合數(shù)的半導體光接收裝置。

用于解決課題的方案

本發(fā)明提供了一種半導體光接收裝置，其特征在于，具備：

頭部；

高頻放大器，設置在所述頭部上，并且具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤（grounding?pad）；

次黏著基臺（submount），設置在所述頭部上，并且具有上表面；以及

半導體光接收元件，設置在所述次黏著基臺的上表面，所述半導體光接收元件比所述次黏著基臺的上表面小，

所述次黏著基臺的上表面具有接合所述半導體光接收元件的第一電極焊盤和設置在所述第一電極焊盤的旁邊的第二電極焊盤，

所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤通過引線而被連接。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的半導體光接收裝置，能利用次黏著基臺的上表面比半導體光接收元件大的這一點，在次黏著基臺的上表面中的空余空間設置高頻接地用的電極焊盤。由此，能有效利用次黏著基臺上表面的空間來確保高頻接地用的引線連接，因此，能減少對頭部上表面的引線接合數(shù)。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的外觀結構的圖。

圖2是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的內(nèi)部結構的圖。

圖3是在箭頭方向上觀察圖2的沿著X-X’線的截斷構造的圖。

圖4是對本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB等的周邊結構進行放大后的立體上表面圖。

圖5是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB的上表面的結構的圖。

圖6是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。

圖7是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。

圖8是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。

圖9是示出本發(fā)明實施方式的變形例的半導體光接收裝置90的圖。

圖10是圖示了凹部100內(nèi)的結構的立體上表面圖。

圖11是在箭頭方向上觀察圖9的沿著X2-X2’線的截面構造的圖。

圖12是對圖9的沿著B-B’線的截面構造中的高頻放大器AMP附近進行放大后的圖。

圖13是在用切削加工設置了凹部100的情況下的對頭部20的沿著B-B’線的截面構造的高頻放大器AMP附近進行放大后的圖。

圖14是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。

圖15是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。

圖16是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。

圖17是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。

圖18是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。

圖19是示出本發(fā)明實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。