[發(fā)明專利]半導(dǎo)體光接收裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310614577.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN103985768B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 增山祐士;中路雅晴;久義浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/02
• 分類號(hào): H01L31/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，具備：

頭部；

高頻放大器，設(shè)置在所述頭部上，并且具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤；

次黏著基臺(tái)，設(shè)置在所述頭部上，并且具有上表面；以及

半導(dǎo)體光接收元件，設(shè)置在所述次黏著基臺(tái)的上表面，所述半導(dǎo)體光接收元件比所述次黏著基臺(tái)的上表面小，

所述次黏著基臺(tái)的上表面具有接合所述半導(dǎo)體光接收元件的第一電極焊盤和設(shè)置在所述第一電極焊盤的旁邊的第二電極焊盤，

所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤通過引線而被連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，在將與所述頭部的上表面垂直的方向設(shè)為高度方向的情況下，將所述頭部的上表面與所述高頻接地焊盤之間的高度設(shè)為第一差，將所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤之間的高度設(shè)為第二差，所述第二差比所述第一差小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，

所述高頻放大器與所述次黏著基臺(tái)以所述高頻放大器與所述次黏著基臺(tái)相接的方式被鄰接地配置在所述頭部上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，

所述頭部具備凹部，

所述凹部具備底面和包圍所述底面的側(cè)面，所述底面與所述側(cè)面以超過90度的角度進(jìn)行連結(jié)，

在所述底面上設(shè)置有所述高頻放大器和所述次黏著基臺(tái)，

在平面視圖中，將所述凹部的邊緣與所述高頻接地焊盤上的所述引線的連接點(diǎn)之間的距離設(shè)為第一距離，將所述高頻接地焊盤上的所述引線的連接點(diǎn)與所述第二電極焊盤上的所述引線的連接點(diǎn)之間的距離設(shè)為第二距離，所述第二距離比所述第一距離小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，

所述頭部在表面實(shí)施了鍍金，

所述高頻放大器和所述次黏著基臺(tái)的至少一方通過包含銀和粘合劑樹脂的銀膏被接合在所述頭部上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，所述第二電極焊盤在平面視圖中具備折彎部和凸部的至少一方。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光接收裝置，其特征在于，所述第二電極焊盤具有導(dǎo)體圖案部和電阻比所述導(dǎo)體圖案部高的電阻圖案部。