[發明專利]一種提高濕法蝕刻效率的方法

在審

• 申請號: 201310613330.3
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104681421A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 劉佳磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種提高濕法蝕刻效率的方法，包括：

將氮氣充分溶解于用于去除硅層的濕法蝕刻的堿性液體；

將充分溶解有氮氣的堿性液體導入蝕刻操作室，以用于蝕刻去除所述硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶解過程在盛放所述堿性液體的專用容器中完成。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶解過程在混合閥中完成。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，在所述溶解過程中，所述堿性液體的溫度為20-100℃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述充分溶解有氮氣的堿性液體中的氮氣的濃度為0.1-100ppm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿性液體的PH值大于7.0。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述堿性液體包括四甲基氫氧化銨、氫氧化鉀或者氨水。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅層的表面晶向為<100>或者<110>。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅層構成偽柵極結構中的犧牲柵極材料層。