[發明專利]用于等離子體反應器的阻抗匹配網絡在審
| 申請號： | 201310613328.6 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104682917A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 劉驍兵;梁潔;王兆祥;劉志強 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03H11/28 | 分類號： | H03H11/28;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 等離子體 反應器 阻抗匹配 網絡 | ||
1.一種用于等離子體反應器的阻抗匹配網絡，包括至少一電感和一可變電容單元，其特征在于：所述可變電容單元包括至少一個可變真空電容，所述可變真空電容包括兩電極板，所述兩電極板間設置一環形壓電陶瓷板，所述環形壓電陶瓷板連接一驅動電源，所述環形壓電陶瓷板的中空區域設置一弧形電極板。
2.根據權利要求1所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述可變真空電容單元包括若干個可變真空電容，所述若干個可變真空電容并聯或串聯。
3.根據權利要求2所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述可變電容單元和所述驅動電源之間連接一大功率MOSTFET場效應管單元，所述大功率MOSTFET場效應管單元包括若干個大功率MOSTFET場效應管。
4.根據權利要求3所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述大功率MOSTFET場效應管的數量與所述可變真空電容的數量相等，每個大功率MOSTFET場效應管連接一個可變真空電容。
5.根據權利要求3所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述大功率MOSTFET場效應管單元連接一微控制單元MCU。
6.根據權利要求1所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述可變真空電容的電容大小在微秒量級內調整。
7.根據權利要求2所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述若干個可變真空電容依據阻抗匹配需求并聯或串聯成一個電路，所述電路連接一個驅動電源。
8.根據權利要求1所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述阻抗匹配網絡連接射頻源功率源或者射頻偏置功率源。
9.根據權利要求8所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述射頻源功率源和所述射頻偏置功率源輸出為脈沖調制輸出。
10.根據權利要求1所述的阻抗匹配網絡，其特征在于：所述環形壓電陶瓷板通過一壓電陶瓷驅動電極和所述驅動電源連接。
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