[發明專利]用FIB在AFP樣品上打標記定位的方法

有效

• 申請號: 201310612744.4
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103646850A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 倪亮
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/68
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及一種定位方法，尤其涉及一種用FIB在AFP樣品上打標記定位的方法。

背景技術

在半導體行業，對芯片的電性失效分析，尤其是對90nm及以下制程的芯片產品，需要用到AFP（Atomic?Force?Probe，原子力探針）來進行電性測試。

其工作原理是：首先，用納米探針在樣品表面掃描，根據樣品表面高低形貌形成地形圖，根據樣品表面的微電流（pico?current）大小形成電性圖；然后，根據地形圖和電性圖找出要測試的目標位置扎針進行電性測試。因此，如果要定點測試重復單元（如SRAM區域）中的目標位置，就需要在目標位置附近打標記（mark）定位，然后通過地形圖和電性圖上的mark找到目標位置進行測試。

現有技術在打mark時，主要是沿目標位置的BL和WL方向同時打mark，由于BL方向bit與目標位置bit共用井（well）區，well被mark損壞后容易導致目標位置設備（device）測試結果異常；同時此法mark損傷位置較多，且AFP納米探針必須同時掃到兩個mark才能精確定位，增加了AFP定點測試樣品的制備難度和定位難度，對納米探針損傷也較大。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供一種用FIB在AFP樣品上打標記定位的方法。

本發明解決技術問題所采用的技術方案為：

一種用FIB在AFP樣品上打標記定位的方法，所述樣品包括金屬層和接觸層，所述樣品上具有目標位置，所述方法包括以下步驟：

步驟1，在所述樣品上設定參照點，所述參照點距離所述樣品的目標位置若干位移；

步驟2，將所述樣品處理到金屬層，在所述樣品的參照點處通過FIB打標記，所述標記具有特定形狀；

步驟3，將所述樣品處理到接觸層，通過所述AFP掃描樣品，得出樣品標記的位置，并根據所述若干位移找到所述目標單位。

優選的，所述步驟1中參照點在水平線上距離所述目標位置2個bit。

優選的，步驟2中的所述標記為經過所述參照點相互垂直的兩條線段。

優選的，所述樣品采用65/55nm制程。

優選的，所述標記的寬度小于所述AFP的針尖直徑。

優選的，所述AFP的針尖直徑為130nm。

優選的，所述步驟2中的標記為兩條各長5μm、寬0μm、深1.2μm的線段。

優選的，所述步驟3通過所述AFP掃描樣品，得出地形圖和電性圖，在圖上找到樣品標記的位置。

上述技術方案具有如下優點或有益效果：

本發明的技術方案簡單有效、定位精準，降低了AFP定點測試樣品的制備難度，對納米探針和device不會造成損傷，對AFP定點測試樣品重復單元（如SRAM區域）有非常重要的意義。

附圖說明

參考所附附圖，以更加充分的描述本發明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構成對本發明范圍的限制。

圖1是本發明實施例中的參照點的示意圖；

圖2是本發明實施例中形成的150倍OM圖像的標記示意圖；

圖3是本發明實施例中AFP地形示意圖；

圖4是本發明實施例中AFP電性示意圖。

具體實施方式

以下通過具體實施例來對本發明的方法進行詳細說明。

本發明實施例的一種用FIB在AFP樣品上打標記定位的方法，樣品包括金屬層和接觸層，樣品上具有目標位置，方法包括以下步驟：

步驟1，如圖1中所示，在樣品上設定參照點2，參照點2距離樣品的目標位置1若干位移，優選沿WL方向間隔2個bit；

步驟2，如圖2中所示，將樣品處理到金屬層，優選M2(metal?two)層，在樣品的參照點2處通過FIB打標記，標記具有特定形狀；優選通過調整FIB參數(以65/55nm樣品為例，長5μm、寬0μm、深1.2μm)打標記；

步驟3，將樣品處理到接觸層，通AFP掃描樣品得出如圖3和圖4所示的地形圖和電性圖，從而得出樣品標記的位置，及參照點2的位置，并根據若干位移找到目標單位1，再把針移到目標位置掃描并進行測試。

與現有技術相比，本方法采用目標位置與mark中間沿WL方向間隔2個bit，這樣既不會傷害到目標位置的device，也讓AFP的定點測試更加簡單精準。Mark的寬度約56nm，遠小于納米探針針尖直徑130nm，所以不會傷害到掃描的納米探針。