[發(fā)明專利]用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310612744.4 | 申請日: | 2013-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN103646850A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 倪亮 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | fib afp 樣品 標(biāo)記 定位 方法 | ||
1.一種用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,所述樣品包括金屬層和接觸層,所述樣品上具有目標(biāo)位置,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟1,在所述樣品上設(shè)定參照點,所述參照點距離所述樣品的目標(biāo)位置若干位移;
步驟2,將所述樣品處理到金屬層,在所述樣品的參照點處通過FIB打標(biāo)記,所述標(biāo)記具有特定形狀;
步驟3,將所述樣品處理到接觸層,通過所述AFP掃描樣品,得出樣品標(biāo)記的位置,并根據(jù)所述若干位移找到所述目標(biāo)單位。
2.如權(quán)利要求1所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述步驟1中參照點在水平線上距離所述目標(biāo)位置2個bit。
3.如權(quán)利要求1所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,步驟2中的所述標(biāo)記為經(jīng)過所述參照點相互垂直的兩條線段。
4.如權(quán)利要求3所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述樣品采用65/55nm制程。
5.如權(quán)利要求1所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述標(biāo)記的寬度小于所述AFP的針尖直徑。
6.如權(quán)利要求5所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述AFP的針尖直徑為130nm。
7.如權(quán)利要求6所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述步驟2中的標(biāo)記為兩條各長5μm、寬0μm、深1.2μm的線段。
8.如權(quán)利要求1所述的用FIB在AFP樣品上打標(biāo)記定位的方法,其特征在于,所述步驟3通過所述AFP掃描樣品,得出地形圖和電性圖,在圖上找到樣品標(biāo)記的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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