[發明專利]一種氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法

在審

• 申請號: 201310612376.3
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN103594684A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 戴新義;許進;周愛軍;李晶澤
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01M4/1391
• 分類號: H01M4/1391
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，通過射頻磁控濺射工藝在常規鈷酸鋰電極上沉積一層氧化鋅或摻鋁氧化鋅的包覆層，從而得到氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆的鈷酸鋰電極；其中所述常規鈷酸鋰電極由集流體和涂覆于集流體表面的鈷酸鋰電極材料所構成，而所述鈷酸鋰電極材料由鈷酸鋰活性粉體、導電添加劑和粘結劑混合而成。

2.如權利要求1所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，制備常規鈷酸鋰電極時，將正極活性材料鈷酸鋰粉末與導電添加劑、粘結劑、溶劑按比例混合均勻，研磨制成漿料并涂覆于正極集流體上，然后烘干去除溶劑后得到常規鈷酸鋰電極。

3.如權利要求2所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，所述導電添加劑包括碳黑、石墨粉、石墨烯，所述粘結劑采用各類有機粘結劑，所述溶劑包括各類有機溶劑或水，所述集流體材料采用金屬鋁箔片。

4.如權利要求1所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，采用射頻磁控濺射工藝在常規鈷酸鋰電極上沉積一層氧化鋅或摻鋁氧化鋅的包覆層時，靶材為氧化鋅或摻鋁氧化鋅；若靶材采用氧化鋅，則靶材采用純氧化鋅粉末壓制而成；若靶材采用摻鋁氧化鋅，則靶材采用氧化鋅和氧化鋁混合壓制而成，其中氧化鋁含量為0.5～5.0wt%。

5.如權利要求1所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，采用射頻磁控濺射工藝在常規鈷酸鋰電極上沉積一層氧化鋅或摻鋁氧化鋅的包覆層時，濺射工藝參數為：靶基距2～12cm，基片溫度30～300℃，基片轉速5～20rpm，背底真空小于1×10^-3Pa、工作氣體為氬氣、濺射氣壓0.2～5.0Pa、工作氣體氣流量30～100sccm，濺射功率50～250W。

6.如權利要求1、4或5所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，采用射頻磁控濺射工藝在常規鈷酸鋰電極上沉積一層氧化鋅或摻鋁氧化鋅的包覆層時，氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆層的厚度為1～80納米。

7.如權利要求6所述的氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆鈷酸鋰電極的制備方法，其特征在于，氧化鋅或摻鋁氧化鋅包覆層的優選厚度為5～30納米。