[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310608390.6 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN104659266A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發(fā)光材料,并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活,產(chǎn)生光子,釋放光能。
在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中,器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的,而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部,界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差,玻璃折射率為1.5,ITO為1.8,光從ITO到達玻璃,就會發(fā)生全反射),引起了全反射的損失,從而導(dǎo)致整體出光性能較低。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
一種有機電致發(fā)光器件,包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述散射層由鋰鹽材料層、金屬摻雜層和鐵鹽材料摻雜層組成,所述鋰鹽材料層的材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種,所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的所述發(fā)光材料,所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV,所述發(fā)光材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種,所述鐵鹽材料摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的所述第二金屬材料,所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種,所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV。
所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種,所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。
所述鋰鹽材料層的厚度為5nm~10nm,所述金屬摻雜層的厚度為40nm~300nm,所述鐵鹽材料摻雜層的厚度為100nm~300nm。
所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為1:1~10:1,所述鐵鹽材料摻雜層中所述鐵鹽材料與所述第二金屬材料的質(zhì)量比為1:10~3:10。
一種有機電致發(fā)光器件的制備方法,包括以下步驟:
在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層,所述散射層由鋰鹽材料層、金屬摻雜層和鐵鹽材料摻雜層組成,在所述玻璃基底表面通過熱阻蒸鍍制備鋰鹽材料層,所述鋰鹽材料層的材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種,在所述鋰鹽材料層表面通過熱阻蒸鍍制備所述金屬摻雜層,所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的所述發(fā)光材料,所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV~-3.5eV,所述發(fā)光材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種,接著在所述金屬摻雜層表面通過電子束蒸鍍制備鐵鹽材料摻雜層,所述鐵鹽材料摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的所述第二金屬材料,所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種,所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV;
在所述散射層表面磁控濺射制備陽極,所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物;及
在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種,所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。
所述鋰鹽材料層的厚度為5nm~10nm,所述金屬摻雜層的厚度為40nm~300nm,所述鐵鹽材料摻雜層的厚度為100nm~300nm。
所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述發(fā)光材料的質(zhì)量比為1:1~10:1,所述鐵鹽材料摻雜層中所述鐵鹽材料與所述第二金屬材料的質(zhì)量比為1:10~3:10。
所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,工作電流為1A~5A,有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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