[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310608390.6
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN104659266A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由鋰鹽材料層、金屬摻雜層和鐵鹽材料摻雜層組成，所述鋰鹽材料層的材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的所述發光材料，所述第一金屬材料的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述發光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鐵鹽材料摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的所述第二金屬材料，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述第二金屬材料功函數為-4.0eV～-5.5eV。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種，所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鋰鹽材料層的厚度為5nm～10nm，所述金屬摻雜層的厚度為40nm～300nm，所述鐵鹽材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述發光材料的質量比為1:1～10:1，所述鐵鹽材料摻雜層中所述鐵鹽材料與所述第二金屬材料的質量比為1:10～3:10。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由鋰鹽材料層、金屬摻雜層和鐵鹽材料摻雜層組成，在所述玻璃基底表面通過熱阻蒸鍍制備鋰鹽材料層，所述鋰鹽材料層的材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種，在所述鋰鹽材料層表面通過熱阻蒸鍍制備所述金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的所述發光材料，所述第一金屬材料的功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述發光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，接著在所述金屬摻雜層表面通過電子束蒸鍍制備鐵鹽材料摻雜層，所述鐵鹽材料摻雜層包括鐵鹽材料及摻雜在所述鐵鹽材料中的所述第二金屬材料，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述第二金屬材料功函數為-4.0eV～-5.5eV；

在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；及

在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種，所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。

7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述鋰鹽材料層的厚度為5nm～10nm，所述金屬摻雜層的厚度為40nm～300nm，所述鐵鹽材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述發光材料的質量比為1:1～10:1，所述鐵鹽材料摻雜層中所述鐵鹽材料與所述第二金屬材料的質量比為1:10～3:10。

9.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，工作電流為1A～5A，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

10.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm²～l00W/cm²，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。